12-4 5ミクロン以上の赤外光を検出可能な電子放出デバイスの研究
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概要
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In this paper, we propose a novel electron emission devices, which detect above 5μm Infrared lights. The proposed device is constructed with gated Si field emitters, n-type Si MOSFET and PZT film as a pyroelectric material. The PZT film is connected to gate electrode of the MOSFET, then a current in the MOSFET is controlled by a voltage in the PZT film which is generated by a incidence of a infrared light. The emission current from the emitters is restricted by current flowed in the MOSFET. In this study, we confirmed that the emission current was lineally proportional to the incident infrared light power using an equivalent circuit.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1998-10-29
著者
-
石田 誠
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
石田 誠
豊橋技術科学大学
-
安藤 隆男
静岡大学
-
安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所
-
安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所 テレビジョン学会画像入力シンポジウム実行委員会
-
安藤 隆男
財団法人浜松地域テクノポリス推進機構浜松地域知的クラスター本部
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学
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