Si_2H_6と固体Geソースを用いたSiGe/Siの成長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ガスソース法におけるGeH_4の危険性と固体ソース法におけるGeの表面偏析を考慮し、Si_2H_6とGe固体ソースとを組み合わせた新しい混成ソースMBE法により安全かつ容易にSiGe,Si成長可能であることを確認した。SiGe成長膜は結晶性、平坦性とも良好であった。Ge濃度はSi_2H_6成長圧力およびGeのKnudsen cell温度により制御可能である。表面偏析については、in-situ XPSにおける分析角依存性により確認されたが、Si_2H_6の成長律速状態によりその表面のGe濃度分布には差異があることが分かった。これは成長時における表面水素被覆率が異なり、水素サーファクタント効果の違いによるものだと推測できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-21
著者
-
石田 誠
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
中村 哲郎
豊橋技術科学大学工学部電気電子工学系
-
和戸 弘幸
豊橋技術科学大学
-
石田 誠
豊橋技術科学大学
-
和戸 弘幸
豊橋技術科学大学工学部
-
中村 哲郎
豊橋技術科学大学
関連論文
- プログレッシブ型pH・光融合イメージセンサの提案(立体撮像,高精細撮像,特殊撮像,および一般)
- 光・pH融合イメージセンサの提案と製作・評価(深い感性の喚起と情報センシング,高精細撮像,高感度及び一般)
- ポリイオン複合膜を用いたアセチルコリンイメージセンサ(高機能イメージセンシングとその応用)
- 無線駆動型Si-MEMSマイクロセンサに向けたCMOS安定化電源回路(アナログ,パワーインテグリティ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 無線駆動型Si-MEMSマイクロセンサに向けたCMOS安定化電源回路(アナログ,パワーインテグリティ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- センサアレイと集積回路の融合によるバイオ・医療用スマートマイクロチップ(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- アモルファスSiバッファ層を用いたサファイア基板上へのSiヘテロエピタキシャル成長とその特性
- 教育用NMOS集積回路の製作と評価
- SOI構造を用いた高温用3次元加速度ベクトルセンサ
- Si_2H_6と固体Geソースを用いたSiGe/Siの成長
- 冗長正ディジット数表現に基づく多値電流モード高速並列乗算器
- SC-11-1 Si(111)CMOSにおけるMOSFET特性の改善(SC-11.新概念VLSI : 先進アーキテクチャ,新回路,デバイス技術)
- 微小Siプローブとの一体化に向けたSi(111)CMOS信号検出回路
- 微小Siプローブとの一体化に向けたSi(111)CMOS信号検出回路(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
- マイクロチップ上へのSiプローブアレイ結晶成長と細胞電位測定応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si集積回路技術を用いた小型水分量センサの製作
- C-12-48 滑り覚検知能を実現するシリコンMEMS触覚イメージャー(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-72 SPICEを用いた流体集積回路の解析・設計技術(C-12.集積回路,一般セッション)
- 積層型マイクロ流路ミキサーを用いた多対少量混合
- マイクロチップ上へのSiプローブアレイ結晶成長と細胞電位測定応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 医療分野へ応用可能なpH・光マルチモーダルバイオイメージセンサの開発 (情報センシング)
- AT-1-1 社会の安全・安心にむけたユビキタス集積化マイクロセンサ技術(AT-1.安全・安心な生活のために:情報通信ネットワーク・回路・システム技術の挑戦,パネルセッションチュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- C-12-47 微小容量型センサアレイに向けた画素内集積型CV変換回路(C-12.集積回路,一般セッション)
- 神経インタフェース集積化プローブ/チューブデバイス
- 電気伝導度センサと温度センサを含んだマルチモーダルセンサの製作
- 溶液前処理機構を集積化したインテリジェント吸光測定チップの開発
- LSI技術を用いた農業用ECセンサに関する研究
- シリコン基板上のエピタキシャル強誘電体薄膜と焦電型赤外線センサアレイへの応用(第6回赤外放射応用関連学会等年会)
- 二次元イオン分布イメージングシステムの開発
- LSI技術とセンサ技術の融合によるインテリジェントスマートマイクロチップ(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
- エピタキシャルPZT薄膜を用いた圧電型超音波トランスデューサアレイの製作
- 化学情報をノンラベルで可視化できる電荷転送型pHイメージセンサ
- 生体情報センシングを目指した体着型マルチモーダルセンサの試作
- 医療分野へ応用可能なpH・光マルチモーダルバイオイメージセンサの開発(特別企画「CCD誕生40年記念講演〜普及拡大期〜」,イメージセンサ一般)
- マイクロプローブ電極アレイによる網膜光応答計測
- Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 酸化膜還元法による極薄エピタキシャルγ-Al_2O_3膜の作製とデバイス応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 酸化膜還元法による極薄エピタキシヤルγ-Al_2O_3膜の作製とデバイス応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 酸化膜還元法による極薄エピタキシャルγ-Al_2O_3膜の作製とデバイス応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究
- 酸化膜還元法による極薄エピタキシャルγ-Al_2O_3膜の作製とデバイス応用
- Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究
- 酸化膜還元法による極薄エピタキシャルγ-Al_2O_3膜の作製とデバイス応用
- γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 赤外線カメラを利用した農業用非接触水分量センシング
- 雑音除去機構および温度調節機構を集積化した吸光度測定スマートセンサチップの製作と基礎特性の評価
- 温度調節機構を集積化したC反応性タンパク測定用マイクロチップの設計と製作
- 溶液前処理機構と光同期検出機構を集積化した血液分析用マイクロチップの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 溶液前処理機構と光同期検出機構を集積化した血液分析用マイクロチップの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 溶液前処理機構と光同期検出機構を集積化した血液分析用マイクロチップの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 溶液前処理機構と光同期検出機構を集積化した血液分析用マイクロチップの作製
- 溶液前処理機構と光同期検出機構を集積化した血液分析用マイクロチップの作製
- CCDを用いたpH二次元分布の画像化
- CCDを用いたpH二次元分布の画像化
- 低雑音センサインターフェース回路に向けた JFET 混載 CMOS 技術
- CMOSとの集積化に適したJFET素子と低雑音増幅回路の形成(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- CMOSとの集積化に適したJFET素子と低雑音増幅回路の形成
- センサインターフェースに適したJFET-CMOS混載型低雑音増幅器の形成
- シリコン光検出系を一体化した高分解能吸光光度測定チップ
- シリコン光検出系を一体化した高分解能吸光光度測定チップ(アナログ・ディジアナ・センサ,通信用LSI)
- 信号処理回路を集積化したヘモグロビン量測定マイクロチップ
- 光多重反射を用いたシリコン集積化ヘモグロビン量センサの諸特性
- 混成ソースAl-N_2O MBE法によるSi基板上への薄膜γ-Al_2O_3成長
- エピタキシャルγ-Al_2O_3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を利用した焦電型赤外線センサ
- エピタキシャルγAl_2O_3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を利用した焦電型赤外線センサ
- チョッパレス焦電型赤外線イメージセンサの検討
- チョッパレス焦電型赤外線イメージセンサの検討
- 11-7 チョッパレス焦電型赤外線イメージセンサの検討
- チョッパレス焦電型赤外線イメージセンサの提案
- チョッパレス焦電形赤外線イメージセンサの提案(イメージセンシング技術)
- デルタシグマ変調磁界負帰還に基づくディジタル出力マイクロフラックスゲート磁気センサ
- (5)半導体集積回路の社会人教育(第2セッション 社会人技術者のリフレッシュ教育(II))
- 21世紀COEプログラム「インテリジェントヒューマンセンシング」
- Pacific Rim Workshop on Transuducers and Micro / Nano Technologies
- 豊橋技術科学大学 電気電子工学系 電子デバイス大講座 石田研究室
- 光学フィルタを必要としない蛍光検出フォトセンサの試作・評価(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長
- エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長
- Siナノ構造における電界集中とトンネル電流
- Siナノ構造における電界集中とトンネル電流
- APS 構造を用いたアモルファスシリコン系アバランシェ増倍型光電変換膜の蓄積動作特性
- a-Siアバランシェ増幅型光電変換膜積層型イメージセンサのCMOS読み出し回路の検討(映像入出力および一般)
- a-Siアバランシェ増幅型光電変換膜積層型イメージセンサのCMOS読み出し回路の検討
- n型多結晶シリコン膜上へのアモルファスシリコン系pinフォトダイオードの製作
- n型多結晶シリコン膜上へのアモルファスシリコン系pinフォトダイオードの製作
- 24-3 ポリシリコン膜上へのアモルファスシリコン系pinフォトダイオードの製作
- C-12-23 JFET混載CMOS技術を用いた演算増幅器の低雑音化手法(C-12.集積回路C(アナログ))
- C-12-24 JFET 混載 CMOS 技術を用いたセンサ用低雑音増幅回路
- 感度とオフセット補償可能なPLL方式容量検出CMOSICの試作
- 電界放出微小電子源型高感度光センサの広ダイナミックレンジ化(■固体撮像とその関連技術)
- バンドオフセットを持つa-Si:H系傾斜薄膜を用いたアバランシェ増幅型光センサ
- 12-4 5ミクロン以上の赤外光を検出可能な電子放出デバイスの研究
- 微小電子源を用いた背面入射型フォトカソｰドの製作と高性能化
- 24-2 PZT薄板からの電界放出電子の画像化の検討
- 電界放出微小電子源型焦電赤外センサ
- 10-5 赤外線照射による強誘電体薄板からの電子の直接電界放出