SOI構造を用いた高温用3次元加速度ベクトルセンサ
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概要
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シリコン加速度センサの高温下での信頼性を向上するため,SOI基板を用いた加速度センサを試作し,従来技術のシリコン加速度センサとその温度特性を比較した.同時に,新しい検出原理で加速度ベクトルの3方向成分を検出することを試みた.検出原理の検証とセンサの設計には有限要素法(FEM)を用いた構造解析プログラムとしてANSYSを利用した.試作,測定の結果,SOI基板を用いたセンサの温度特性は,従来のpn接合分離を用いたセンサよりも特に200℃以上においてオフセット電圧,感度等が安定しており,410℃においても加速度を検出可能なことがわかった.加速度成分の検出は3方向成分ともに精度良く行え,他軸感度を5.7%以下に抑えることができた.また,センサの周波数特性はシミュレーションとよく一致した.より高い温度での加速度検出と3次元ベクトル検出の特徴を合わせもつことで,シリコン加速度センサの用途が大きく広がる可能性がある.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-25
著者
-
高尾 英邦
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
石田 誠
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
中村 哲郎
豊橋技術科学大学工学部電気電子工学系
-
中村 哲郎
豊橋技術科学大学電機電子工学系
-
松本 佳宣
豊橋技術科学大学工学部電気電子工学系
-
田中 秀一
山武ハネウェル株式会社技術研究センター
-
徐 煕敦
嶺南大学校工学部電子工学科
-
石田 誠
豊橋技術科学大学
-
松本 佳宣
慶應義塾大学理工学部
-
高尾 英邦
豊橋技術科学大学
-
中村 哲郎
豊橋技術科学大学
-
松本 佳宣
豊橋技術科学大学
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