24-3 ポリシリコン膜上へのアモルファスシリコン系pinフォトダイオードの製作

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概要

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• An image sensor with high sensitivity and high pixel density is necessary, but these requirements are opposites. An avalanche multiplication photodiode on Si substrate was confirmed. However, other candidates instead of n-type single crystal silicon (c-Si) are necessary to realize stacked type avalanche multiplication image sensor. In this paper, the candidate is discussed.

• 社団法人映像情報メディア学会の論文
• 2001-08-27

著者

• 高尾 英邦

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 澤田 和明

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学

• 澤田 和明

  豊橋技術科学大学

• 高尾 英邦

  豊橋技術科学大学

• 秋山 正弘

  電気電子工学科

• 花田 昌樹

  豊橋技術科学大学 電子・情報工学専攻

• 秋山 正弘

  豊橋技術科学大学 電子・情報工学専攻

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