秋山 正弘 | 豊橋技術科学大学 電子・情報工学専攻

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概要

• 同名の論文著者
• 豊橋技術科学大学 電子・情報工学専攻の論文著者

関連著者

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学

• 澤田 和明

  豊橋技術科学大学

• 秋山 正弘

  電気電子工学科

• 秋山 正弘

  豊橋技術科学大学 電子・情報工学専攻

• 高尾 英邦

  豊橋技術科学大学

• 高尾 英邦

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 澤田 和明

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 花田 昌樹

  豊橋技術科学大学 電子・情報工学専攻

• 足木 光昭

  豊橋技術科学大学工学部電気電子工学系

• 足木 光昭

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• Sawada K

  Shizuoka Univ. Hamamatsu

• Ishida M

  Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn

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著作論文

• APS 構造を用いたアモルファスシリコン系アバランシェ増倍型光電変換膜の蓄積動作特性
• a-Siアバランシェ増幅型光電変換膜積層型イメージセンサのCMOS読み出し回路の検討(映像入出力および一般)
• a-Siアバランシェ増幅型光電変換膜積層型イメージセンサのCMOS読み出し回路の検討
• n型多結晶シリコン膜上へのアモルファスシリコン系pinフォトダイオードの製作
• n型多結晶シリコン膜上へのアモルファスシリコン系pinフォトダイオードの製作
• 24-3 ポリシリコン膜上へのアモルファスシリコン系pinフォトダイオードの製作
• 10-4 アモルファスシリコンpin光電変換膜の過剰雑音特性
• フレッシュパーソン18-5 a-Si:H系アバランシェ増幅型傾斜光電変換膜の雑音特性
• 傾斜構造を持つa-Si:H系増幅型光導電膜の雑音特性

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