フレッシュパーソン18-5 a-Si:H系アバランシェ増幅型傾斜光電変換膜の雑音特性
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概要
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The photocurrent multiplication due to impact ionization was observed in the a-Si:H/a-SiC:H staircase photodiode. On the staircase photodiode with one band offset, the photocurrent was multiplied double and the multiplication gain of about 6 was also obtained on the staircase photodiode with 3 band offsets. It was confirmed that almost all electrons were multiplied after they crossed the band offset. To clarify the excess noise characteristic of the a-Si:H/a-SiC:H staircase photodiode film, shot noise characteristics of the photodiode film with one and three linearly graded-gap region was investigated. The excess noise factor of the staircase photodiode is remained one even the photocurrent is multiplied. From these results, it is found that the a-Si:H/a-SiC:H staircase photodiode film with the graded-gap region is not generated extra noise during the photocurrent multiplication.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1999-08-23
著者
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