Si イオン注入法を用いた単結晶 Al_2O_3 膜のエッチング
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概要
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SOI購造への応用を目的とし、エピタキシャルγ-Al2O3/Si構造について研究してきた。しかし、単結晶Al2O3は化学的に非常に安定であり、化学薬品によるエッチングが困難であった。本研究では新たな方法として、イオン注入による単結晶Al2O3膜のウエットエッチングを試みた。注入イオンはSiイオンを用い、加速電圧30〜120kV、ドーズ量4×10<14>〜1×10l<17>cm<-2>の条件で注入した後、HFによるエッチングを行った。その結果、Siイオンが注入された単結晶Al2O3膜はアルミノシリケイト(Al2O3・ SiO2)に組成変化を起こしたことが確認された。この選択的に組成が変わったSiイオン注入領域はHFによって100A/min のエッチレートでエッチングされた。以上の実験より、Siイオン注入法が単結晶Al2O3膜のエッチングに有効であることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-20
著者
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