マイクロチップ上へのSiプローブアレイ結晶成長と細胞電位測定応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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Vapor-Liquid-Solid(VLS)成長法は、媒体金属を選択形成することで、Si基板上に極微細なSiプローブをアレイ状に一括構築できる。この方法を用いると、直径数ミクロン、長さ数百ミクロン以上である生体内挿入型のプローブ(探針)が実現でき、神経細胞の電位記録電極として非常に有望であると考えている。更に、このプローブ電極に用いたSi基板に集積回路(IC)を製作出来れば、信号処理回路を有するスマートな神経電位測定マイクロチップが実現できる。しかしながら、VLS成長は、その結晶体の成長方向より、Si(111)基板上で可能となる。この基板は、通常のIC基板に用いられるSi(100)基板と異なり、製作が困難と言われてきた。 VLS結晶成長はIC製作後に行うが、VLS成長条件(500℃〜700℃)での真空中IC基板加熱、媒体金属(Au)のIC中への熱拡散に件う回路の特性変化を留意する必要があった。本論文では、集積回路上への微細Siプローブ結晶成長プロセス、デバイス特性について述べ、また本研究の目的とするSiプローブチップの生理実験応用について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-09
著者
-
高尾 英邦
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
石田 誠
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
河野 剛士
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
石田 誠
豊橋技術科学大学
-
加藤 陶子
豊橋技術科学大学
-
石野 寛
豊橋技術科学大学電気工学系
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学
-
高尾 英邦
豊橋技術科学大学
-
Sawada K
Shizuoka Univ. Hamamatsu
-
Ishida M
Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn
-
河野 剛士
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
河野 剛士
豊橋技術科学大学
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