γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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概要
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近年、優れた光学特性をもつGaN系III族窒化物半導体と集積回路技術が確立しているSi半導体を融合させ、発光デバイス・光情報処理機能をもつ集積回路(OEIC: Opto-electronic integrated circuits)の研究が行われている。OEICを実現するためには、Si基板上にGaNを成長させることが必要不可欠となるが、高品質なGaN成長を阻害する様々な問題がある。そこで本研究は、それらの問題を防ぐためにγ-Al_2O_3中間層を導入し、高品質のGaN成長を試みた。GaNは有機金属気相成長法(MOVPE: Metalorganic vapor phase epitaxy)により作製し、AlN核形成層を用いた2段階成長法を適用した。GaN成長プロセスにおけるγ-Al_2O_3/Si(111)基板の耐久性を調べた結果、GaN成長プロセスに耐えうることがわかった。GaN成長においては、γ-Al_2O_3膜厚25Å、AlN核形成層の成長温度1160℃の条件でXRC (X-ray rocking curve)の半値幅が780arcsecでイ***ーバンドの発光の小さいGaNを得ることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-20
著者
-
石田 誠
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
石田 誠
豊橋技術科学大学
-
岡田 浩
豊橋技術科学大学
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学
-
藤盛 敬雄
豊橋技術科学大学
-
伊藤 幹記
豊橋技術科学大学
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
畠中 奨
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
Ishida M
Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn
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