Siナノ構造における電界集中とトンネル電流
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概要
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ナノスケールのSi突起周辺における電界集中とその電界電子放出-Fowler-Nordheim(FN)トンネル-への影響について、実験および計算機シミュレーションにより評価した。Si表面に高密度(〜3×10^<11> cm^<-2>)形成した突起の高さが約2nm以上、印加電界が1MV/cm程度において、真空中への電子放出が観測された。この電子放出は、Si突起が高いほど小さな印加電界から生じる。計算機シミュレーションの結果、高さ数nmの突起の頂上では、印加電界の3〜10倍の強電界が発生し、これにより電子放出が引き起こされているものと考えられる。しかし、トンネル確率から予想される以上に、実験では小さな印加電界においてトンネル電流が観測された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-02-21
著者
-
石田 誠
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
石田 誠
豊橋技術科学大学
-
田部 道晴
静岡大学電子工学研究所
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学
-
石川 靖彦
静岡大学電子工学研究所
-
石川 靖彦
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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