石川 靖彦 | Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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概要
関連著者
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石川 靖彦
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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田部 道晴
静岡大学電子工学研究所
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石川 靖彦
静岡大学電子工学研究所
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池田 浩也
静岡大学電子工学研究所
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Ikeda H
National Laboratory For High Energy Physics
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Ishikawa Y
Dowa Mining Co. Ltd. Tokyo
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Ishikawa Y
Department Of Electrical And Electronics Engineering Nippon Institute Of Technology
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Ishikawa Y
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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Ikeda Hiroya
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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ヌルヤディ ラトノ
静岡大学電子工学研究所
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Ishikawa Y
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
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Nuryadi Ratno
Department Of Physics Faculty Of Science Shizuoka University
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Tabe Michiharu
Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka University
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TABE Michiharu
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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ISHIKAWA Yasuhiko
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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Nuryadi Ratno
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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土屋 敏章
島根大学 総合理工学部
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長田 浩平
静岡大学電子工学研究所
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Tabe Michiharu
Research Institue Of Electronics Shizuoka University
-
Nuryadi Ratno
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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Ishikawa Yasuhiko
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
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今井 泰宏
静岡大学電子工学研究所
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岩崎 正憲
静岡大学電子工学研究所
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土屋 敏章
島根大学総合理工学部
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石原 大阿
静岡大学電子工学研究所
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田部 道晴
静岡大学 電子工学研究所
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石田 誠
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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澤田 和明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
石田 誠
豊橋技術科学大学
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学
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Nuryadi Ratno
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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Ono Yukinori
Ntt Basic Research Laboratories Nippon Telegraph And Telephone Corporation
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ラトノ ヌルヤディ
静岡大学電子工学研究所
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水野 武志
静岡大学電子工学研究所
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Tsuchiya T
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Ibaraki Jpn
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ヌルヤデイ ラトノ
静岡大学電子工学研究所
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Tsuchiya T
Department Of Electronics Doshisha University
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山本 智寛
静岡大学電子工学研究所
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Tsuchiya Toshiharu
Faculty Of Engineering Shizuoka University
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Tsuchiya Takenobu
Department Of Electrical Electronics And Information Engineering Kanagawa University
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澤田 和明
豊橋科学技術大学電気工学系
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石田 誠
豊橋科学技術大学電気工学系
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Nagase Masao
Ntt Basic Research Laboratories
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MORARU Daniel
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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Ono Yukinori
NTT Basic Research Laboratories
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HORIGUCHI Seiji
Department of Electrical and Electronic Engineering, Akita University
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KATO Hiroshi
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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YAMAUCHI Kazuaki
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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Ono Yukinori
Ntt Basic Research Laboratories Ntt Cornoration
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Nuryadi Ratno
Research Institue Of Electronics Shizuoka University
-
Ishikawa Yasuhiko
1research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
Yamauchi Kazuaki
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
Horiguchi Seiji
Department Of Electrical And Electronic Engineering Akita University
-
Nagase M
Ntt Basic Research Laboratories Ntt Corporation
-
Moraru Daniel
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
-
土屋 敏章
島根大学総合理工学部電子制御システム工学科
-
NURYADI Ratno
静岡大学電子工学研究所
-
川崎 隆弘
静岡大学電子工学研究所
-
上村 崇史
静岡大学電子工学研究所
-
石川 靖彦
静岡大学 電子工学研究所
-
杉木 幹生
静岡大学電子工学研究所
-
石川 靖彦[他]
静岡大学電子工学研究所
著作論文
- Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Fowler-Nordheim Current Oscillations in Si(111)/SiO_2/Twisted-Si(111) Tunneling Structures
- Current fluctuation in single-hole transport through a two-dimensional Si multidot
- Formation of Nanometer-Scale Dislocation Network Sandwiched by Silicon-on-Insulator Layers
- Charge polarization effect on single-hole-characteristics in a two-dimensional Si multidot structure
- Photoinduced Effects on Single-Charge Tunneling in a Si Two-Dimensional Multidot Field-Effect Transistor
- Ambipolar Coulomb Blockade Characteristics in a Two-Dimensional Si Multidot Device
- Resonant tunneling characteristics in SiO₂/Si double-barrier structures in a wide range of applied voltage
- Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- シリコン多重ドット構造における単電子伝導の光応答特性(半導体Si及び関連材料・評価)
- 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- シリコン量子井戸構造の作製と評価
- シリコン量子井戸構造の作製と評価
- シリコン量子井戸構造の作製と評価
- Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- 人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス(多量量子ドットと機能性)
- Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- 人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス(多量量子ドットと機能性)
- Single-photon-induced random telegraph signal in a two-dimensional multiple-tunnel-junction array
- Thermally-induced formation of Si wire array on an ultrathin (111) silicon-on-insulator substrate
- 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 極薄SOIを用いたシリコンナノ構造デバイス
- シリコンナノ構造の KFM による電位測定
- シリコンナノ構造からの電子の電界放出
- シリコン多重ドット構造における単電子伝導のシミュレーション解析と光照射効果への適用
- Siナノ構造における電界集中とトンネル電流
- Siナノ構造における電界集中とトンネル電流