極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 極薄SOI(silicon-on-insulator)構造の熱凝集現象とパターニングの効果について報告する。 10 nm 程度まで薄届化した(001)SOI届け、超高真空中で高温加熱(〜900℃以上)すると、<310>方向に規則配列したアイランドに変形する。この熱凝集現象において、SOI届を予め細線状に加工すると、細線幅が狭く(1μm以下)かつSOI届の初期膜厚が薄い(〜3 nm)場合、細線を形成した面内結晶方位に関係なく、細線方向に沿ったアイランド配列が得られる。一方、細線幅が広く、膜厚が厚い(〜6nm)場合には、はっきりとした配列は観測されない。細線方向に沿った配列と<310>結晶方向の配列が混在するためと考えられる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-05-09

著者

• 池田 浩也

  静岡大学電子工学研究所

• 田部 道晴

  静岡大学電子工学研究所

• 石川 靖彦

  静岡大学電子工学研究所

• ラトノ ヌルヤディ

  静岡大学電子工学研究所

• 石川 靖彦

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• 今井 泰宏

  静岡大学電子工学研究所

• ヌルヤデイ ラトノ

  静岡大学電子工学研究所

• Ikeda H

  National Laboratory For High Energy Physics

関連論文

• 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Observation of discrete dopant potential and its application to Si single-electron devices
• シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究 (電子部品・材料)
• シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究 (電子デバイス)
• 単電子デバイス・回路の研究状況と今後の展望
• Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Pulsed Laser Deposition and Analysis for Structural and Electrical Properties of HfO_2-TiO_2 Composite Films
• Reactive Deposition Epitaxy of CoSi_2 Films on Clean and Oxygen-Adsorbed Si(001) Surfaces
• Surface and Interface Smoothing of Epitaxial CoSi_2 Films by Solid-Phase Epitaxy Using Adsorbed Oxygen Layers and Two-Step Growth on Si(001) Surfaces
• Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer (シリコン材料・デバイス)
• Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer (電子デバイス)
• Single-electron transfer in phosphorous-doped Si nanowire FETs
• Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
• Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Fowler-Nordheim Current Oscillations in Si(111)/SiO_2/Twisted-Si(111) Tunneling Structures
• Formation of Nanometer-Scale Dislocation Network Sandwiched by Silicon-on-Insulator Layers
• Charge polarization effect on single-hole-characteristics in a two-dimensional Si multidot structure
• Ambipolar Coulomb Blockade Characteristics in a Two-Dimensional Si Multidot Device
• Resonant tunneling characteristics in SiO₂/Si double-barrier structures in a wide range of applied voltage
• 平成20年度第11回リフレッシュ理科教室 : 東海支部浜松会場
• シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• 平成19年度第10回リフレッシュ理科教室-東海支部浜松会場-開催報告
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 平成18年度第9回リフレッシュ理科教室-東海支部浜松会場- : 開催報告
• 第12回固体薄膜・表面国際会議(ICSFS-12)
• Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• シリコン多重ドット構造における単電子伝導の光応答特性(半導体Si及び関連材料・評価)
• 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si単一ドーパントデバイスとその特性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• Si単一ドーパントデバイスとその特性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
• リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
• Quantized electron transfer through random multiple tunnel junctions in phosphorus-doped silicon nanowires
• Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
• Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
• Single-electron transfer between two donors in nanoscale thin silicon-on-insulator field-effect transistors
• Single-Electron Transfer by Inter-Dopant Coupling Tuning in Doped Nanowire Silicon-on-Insulator Field-Effect Transistors
• Single-Gated Single-Electron Transfer in Nonuniform Arrays of Quantum Dots
• Silicon nanodevice potential investigation by low temperature Kelvin Probe Force Microscope
• Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope (シリコン材料・デバイス)
• Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope (電子デバイス)
• Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• シリコン共鳴トンネル構造の作製と評価
• シリコン量子井戸構造の作製と評価
• シリコン量子井戸構造の作製と評価
• シリコン量子井戸構造の作製と評価
• Electron Tunneling from a Quantum Wire Formed at the Edge of a SIMOX-Si Layer
• Si清浄表面のN_2ガスによる熱窒化
• Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• 人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス(多量量子ドットと機能性)
• Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• 人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス(多量量子ドットと機能性)
• Single-photon-induced random telegraph signal in a two-dimensional multiple-tunnel-junction array
• 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 極薄SOIを用いたシリコンナノ構造デバイス
• シリコンナノ構造の KFM による電位測定
• トンネル埋め込み酸化膜をもつ極薄SOI構造のC-V特性
• Si Pillar Formation and Height Countrol by Furnace Oxidation of the Si (111) Surface with Ultra-Small SiN Nuclei
• Si Pillar Formation and Height Control by Furnace Oxidation of the Si (111) Surface with Ultra-Small SiN Nuclei
• シリコンナノ構造からの電子の電界放出
• シリコン多重ドット構造における単電子伝導のシミュレーション解析と光照射効果への適用
• Siナノ構造における電界集中とトンネル電流
• Siナノ構造における電界集中とトンネル電流
• Thermal Agglomeration of Ultrathin Si Layer on Buried SiO_2
• Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数
• 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数
• 外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 極薄SOI膜のゼーベック係数制御とナノ構造熱電特性測定技術の構築(機能ナノデバイス及び関連技術)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク