Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

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概要

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• 我々は、Siデバイスのブレークスルーにとって、3つの要素が重要と考えて研究を進めている。すなわち、単電子の転送制御、単一フォトンおよび単一ドーパントの検出・利用であり、これらは相互に深く関連している。本報告では、単一フォトン検出を中心に、Si多重接合FETを用いた我々の最近の研究結果について述べる。フォトン検出の研究はまだ基礎的段階であるが、従来のアバランシェ・フォトダイオードなどと比べて低電圧動作が可能で、ポストスケーリング技術としての可能性を持っている。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-06-18

著者

• 田部 道晴

  静岡大学電子工学研究所

• Tabe M

  Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn

• ヌルヤディ ラトノ

  静岡大学電子工学研究所

• Tabe Michiharu

  Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka University

• ブルハヌディン ザイナル

  静岡大学電子工学研究所

• 田部 道晴

  静岡大学 電子工学研究所

• ブルハヌディン ザイナル

  Research Institue Of Electronics Shizuoka University

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