Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• ドーパントイオンが作るランダムなポテンシャル場を利用して単電子特性を得るとともに単電子転送などの機能を持たせることを目的として,研究を行っている.しかし,ドーピングと単電子特性との関係は,ほとんど報告例がない.そのための基礎実験としてドチャネル部にPをカウンタードープした極薄SOI-MOSFETを作製し電気伝導特性を調べた.微細化,高濃度ドープしたチャネル構造のデバイスでは大きなクーロン振動を観測した.この結果からPドーパントが多重トンネル接合の形成に重要な役割を果たしていることを確認した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-05-17

著者

• 田部 道晴

  静岡大学電子工学研究所

• 永田 大輔

  静岡大学電子工学研究所

• モラル ダニエル

  静岡大学電子工学研究所

• Tabe Michiharu

  Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka University

• 海老澤 一仁

  静岡大学電子工学研究所

• 田部 道晴

  静岡大学 電子工学研究所

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