永田 大輔 | 静岡大学電子工学研究所

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概要

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• 同名の論文著者
• 静岡大学電子工学研究所の論文著者

関連著者

• 田部 道晴

  静岡大学電子工学研究所

• 永田 大輔

  静岡大学電子工学研究所

• モラル ダニエル

  静岡大学電子工学研究所

• Tabe Michiharu

  Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka University

• 海老澤 一仁

  静岡大学電子工学研究所

• 田部 道晴

  静岡大学 電子工学研究所

著作論文

• Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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