第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析 (シリコン材料・デバイス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2012-02-07

著者

• モラル ダニエル

  静岡大学電子工学研究所

• 葛屋 陽平

  静岡大学電子工学研究所

関連論文

• Si単一ドーパントデバイスとその特性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• Si単一ドーパントデバイスとその特性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果
• 光照射下でのSOI-FETsの間欠型電流(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 極薄ナノスケールSiトランジスタにおける二つのドナー間単電子移動(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 光照射下でのSOI-FETsの間欠型電流(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 極薄ナノスケールSiトランジスタにおける二つのドナー間単電子移動(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析 (シリコン材料・デバイス)
• 個々のドーパント原子を利用したシリコンナノデバイス : デバイス特性とフォトンセンシング機能
• 個々のドーパントポテンシャルと電子帯電のKFM観測(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 個々のドーパントポテンシャルと電子帯電のKFM観測(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 単一ドーパント原子トランジスタの電子トンネル輸送高温化 : 室温動作に向けて(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 単一ドーパント原子トランジスタの電子トンネル輸送高温化 : 室温動作に向けて(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 単一ドーパント原子トランジスタの電子トンネル輸送高温化 : 室温動作に向けて(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク