第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析(機能ナノデバイス及び関連技術)

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概要

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• MOSFETの微細化に伴い、ランダムドーパントによる特性の揺らぎが大きな問題となってきている。これは、ナノメータ領域のチャネル寸法ではドーパント原子の個別性がデバイス特性に大きな影響を与えるためである。我々は、最近、逆の視点からドーパント原子を量子ドットして積極的に用いたデバイスの研究を行っている。このような状況下でナノ構造内のドーパントの電子状態を調べることが極めて重要となる。今回、第一原理計算によってSiナノチャネル中にあるPドーパントのドナーレベル,イオン化エネルギー,電子状態の空間分布の3つについて調べたので報告する。

• 2012-01-31

著者

• 水田 博

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 田部 道晴

  静岡大学電子工学研究所

• Tare Michiharu

  Research Institue Of Electronics Shizuoka University

• モラル ダニエル

  静岡大学電子工学研究所

• 水野 武志

  静岡大学電子工学研究所

• Tabe Michiharu

  Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka University

• 水田 博

  日立製作所中央研究所

• 田部 道晴

  静岡大学 電子工学研究所

• 葛屋 陽平

  静岡大学電子工学研究所

• 水田 博

  北陸先端科学技術大学院大学

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