Resonant Tunneling Effect in Si/SiO_2 Double Barrier Structure

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概要

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• 2001-09-25

著者

• 田部 道晴

  静岡大学電子工学研究所

• 石川 靖彦

  静岡大学電子工学研究所

• TABE Michiharu

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• ISHIKAWA Yasuhiko

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• Tabe Michiharu

  Research Institue Of Electronics Shizuoka University

• Ishikawa Yasuhiko

  Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information

• Ishikawa Yasuhiko

  1research Institute Of Electronics Shizuoka University

• Ishikawa Y

  Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information

• Ishikawa Y

  Dowa Mining Co. Ltd. Tokyo

• Ishikawa Y

  Department Of Electrical And Electronics Engineering Nippon Institute Of Technology

• Ishikawa Y

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• ISHIHARA Takuma

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• IWASAKI Masanori

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• Ishihara Takuma

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

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