トンネル埋め込み酸化膜をもつ極薄SOI構造のC-V特性

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概要

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• ウエハの貼り合わせを用いて、膜厚2nmの埋め込みSiO_2(BOX)層をもつ極薄SOI構造を作製し、TEM, AFMによりBOX層の構造を、C-V, I-V測定により縦方向の電気伝導特性を評価した。断面TEM, およびAFM観察の結果、極薄B0X層は高温熱処理後も凝集することなく、一様な層として保たれていることを確認した。また、このBOX層では、欠陥準位等に関連したリーク電流が、熱酸化膜と同様な低いレベルに抑えられており、障壁層として十分に利用可能である。極薄BOX層をもつSOIキャパシタのC-V特性は、薄いSOI層中に形成される空乏層、および基板の多数キャリアがSOI層にトンネルすることにより説明できることが明らかとなった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1999-04-23

著者

• 田部 道晴

  静岡大学電子工学研究所

• 水野 武志

  静岡大学電子工学研究所

• 水野 武志

  静岡大学 電子工学研究所

• 石川 靖彦

  静岡大学 電子工学研究所

• 牧田 繁典

  静岡大学 電子工学研究所

• 小杉 真章

  静岡大学 電子工学研究所

• 田部 道晴

  静岡大学 電子工学研究所

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