Resonant tunneling characteristics in SiO₂/Si double-barrier structures in a wide range of applied voltage

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概要

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• American Institute of Physicsの論文
• 2003-08-18

著者

• 田部 道晴

  静岡大学電子工学研究所

• 石川 靖彦

  静岡大学電子工学研究所

• Ikeda Hiroya

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• 石川 靖彦

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• Ishikawa Y

  Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information

• Ishikawa Y

  Dowa Mining Co. Ltd. Tokyo

• Ishikawa Y

  Department Of Electrical And Electronics Engineering Nippon Institute Of Technology

• Ishikawa Y

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

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