Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope (電子デバイス)
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概要
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Dopant ionization was investigated by Kelvin Probe Force Microscope (KFM) measurements of surface potential of the thin silicon-on-insulator field-effect-transistor (SOI-FET) at different temperatures. In the resultant images it is observed that the surface potential is modulated by the temperature which indicates that the number of ionized dopant is changing. Also complementary simulation based on Poisson equation was performed. The results are qualitatively in agreement with the measured values. They show decreasing number of carriers when temperature is lowered. This result and interpretation are consistent with the previous freeze-out effect studies. However, direct observation of freeze-out effect hasn't been reported yet. We believe this is a significant progress towards single dopant observation.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-23
著者
-
田部 道晴
静岡大学電子工学研究所
-
TABE Michiharu
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
-
Nuryadi Ratno
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
-
Tabe Michiharu
Research Institue Of Electronics Shizuoka University
-
Nuryadi Ratno
Research Institue Of Electronics Shizuoka University
-
Tabe Michiharu
Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
Tabe Michiharu
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
LIGOWSKI Maciej
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
-
Ichiraku Akihiro
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
-
Anwar Miftahul
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
-
Jablonski Ryszard
Division of Sensors and Measuring Systems, Faculty of Mechatronics, Warsaw University of Technology
-
Ichiraku Akihiro
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
Ligowski Maciej
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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