Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
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概要
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2次元Si多重ドット構造をチャネルに持つ電界効果トランジスタを作製し、単正孔トンネル特性に対する光照射効果を調べた。その結果、可視域の光の照射により単正孔トンネル電流にランダム・テレグラフ・シグナル(RTS)が生じることを見出した。RTSの頻度は、光の波長が短いほど、また光強度が大きいほど増え、ドットチャネル内での単一フォトン吸収に対応している。RTSのオン状態は単一フォトン吸収により誘起された電荷が、ドットの帯電を引き起こし電流を変調することにより生じ、ドットが中性状態に戻る。単一フォトン吸収によりRTSが誘起される現象は、モンテカルロシミュレーションにより再現される。2次元ドットアレイの電荷しゃへい距離が大きい場合、RTSは電流経路近傍のドットの帯電だけでなく電流経路より遠く離れたドットの帯電によっても生じる。このことは、広い検出面積をもつ単一フォトン検出器が2次元Siドット系で構成できることを示唆している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-19
著者
-
田部 道晴
静岡大学電子工学研究所
-
石川 靖彦
静岡大学電子工学研究所
-
ヌルヤディ ラトノ
静岡大学電子工学研究所
-
石川 靖彦
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
Tabe Michiharu
Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka University
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