ヌルヤディ ラトノ | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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ヌルヤディ ラトノ
静岡大学電子工学研究所
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田部 道晴
静岡大学電子工学研究所
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石川 靖彦
静岡大学電子工学研究所
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石川 靖彦
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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池田 浩也
静岡大学電子工学研究所
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Tabe Michiharu
Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka University
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Ikeda H
National Laboratory For High Energy Physics
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田部 道晴
静岡大学 電子工学研究所
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Tabe M
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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今井 泰宏
静岡大学電子工学研究所
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ブルハヌディン ザイナル
静岡大学電子工学研究所
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ブルハヌディン ザイナル
Research Institue Of Electronics Shizuoka University
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NURYADI Ratno
静岡大学電子工学研究所
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石川 靖彦[他]
静岡大学電子工学研究所
著作論文
- シリコン多重ドット構造における単電子伝導の光応答特性(半導体Si及び関連材料・評価)
- Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- シリコン多重ドット構造における単電子伝導のシミュレーション解析と光照射効果への適用