Electron Tunneling from a Quantum Wire Formed at the Edge of a SIMOX-Si Layer

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 1996-08-26

著者

• 田部 道晴

  静岡大学電子工学研究所

• HORIGUCHI Seishi

  Optoelectronics Joint Research Laboratory

• Ono Yukinori

  Ntt Basic Research Laboratories Nippon Telegraph And Telephone Corporation

• Ono Yukinori

  Ntt Basic Research Laboratories Ntt Cornoration

• Horiguchi Seiji

  Ntt Basic Research Laboratories

• Horiguchi Seiji

  Ntt Basic Research Laboratories Ntt Corporation

• Takahashi Y

  Hokkaido Univ. Sapporo‐shi Jpn

• Takahashi Y

  Ntt Basic Research Laboratories Ntt Cornoration

• TAKAHASHI Yasuo

  NTT LSI Laboratories

• MURASE Katsumi

  NTT LSI Laboratories

• Murase Katsumi

  Ntt Basic Research Laboratories Ntt Corporation:(present)ntt Electronics Corporation (nel)

• Ono Yukinori

  Ntt Lsi Laboratories

• HORIGUCHI Seiji

  NTT LSI Laboratories

• TABE Michiharu

  Shizuoka University

• Murase Kazuo

  Faculty Of Science Osaka University

• Murase K

  Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn

• MURASE Kouki

  Department of Electrical Engineering, Osaka University

• Murase Kouki

  Department Of Electrical Engineering Osaka University

• Takahashi Yasuo

  Faculty Of Pharmaceutical Sciences Tokyo University Of Science

• Horiguchi Seiji

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering and Resource Science, Akita University

関連論文

• Observation of discrete dopant potential and its application to Si single-electron devices
• 単電子デバイス・回路の研究状況と今後の展望
• DLTS Study of Electron Traps in n-GaAs Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy Using Triethylgallium and AsH_3
• Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer (シリコン材料・デバイス)
• Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer (電子デバイス)
• Single-electron transfer in phosphorous-doped Si nanowire FETs
• Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
• Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Fowler-Nordheim Current Oscillations in Si(111)/SiO_2/Twisted-Si(111) Tunneling Structures
• Formation of Nanometer-Scale Dislocation Network Sandwiched by Silicon-on-Insulator Layers
• Charge polarization effect on single-hole-characteristics in a two-dimensional Si multidot structure
• Ambipolar Coulomb Blockade Characteristics in a Two-Dimensional Si Multidot Device
• Resonant tunneling characteristics in SiO₂/Si double-barrier structures in a wide range of applied voltage
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• シリコン多重ドット構造における単電子伝導の光応答特性(半導体Si及び関連材料・評価)
• 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si単一ドーパントデバイスとその特性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• Si単一ドーパントデバイスとその特性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Charge-State Control of Phosphorus Donors in Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
• リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Quantized electron transfer through random multiple tunnel junctions in phosphorus-doped silicon nanowires
• Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
• Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
• Single-electron transfer between two donors in nanoscale thin silicon-on-insulator field-effect transistors
• Single-Electron Transfer by Inter-Dopant Coupling Tuning in Doped Nanowire Silicon-on-Insulator Field-Effect Transistors
• Single-Gated Single-Electron Transfer in Nonuniform Arrays of Quantum Dots
• Silicon nanodevice potential investigation by low temperature Kelvin Probe Force Microscope
• Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope (シリコン材料・デバイス)
• Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope (電子デバイス)
• Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• シリコン共鳴トンネル構造の作製と評価
• シリコン量子井戸構造の作製と評価
• シリコン量子井戸構造の作製と評価
• シリコン量子井戸構造の作製と評価
• Mechanism of Potential Profile Formation in Silicon Single-Electron Transistors Fabricated Using Pattern-Dependent Oxidation : Semiconductors
• Effect of Oxidation-Induced Strain on Potential Profile in Si SETs Using Pattern-Dependent Oxidation (PADOX)
• Fabrication of SiO_2/Si/SiO_2 Double Barrier Diodes using Two-Dimensional Si Structures
• Electron Tunneling from a Quantum Wire Formed at the Edge of a SIMOX-Si Layer
• Energy Eigenvalues and Quantized Conductance Values of Electrons in Si Quantum Wires on {100} Plane
• Novel Fabrication Technique for a Si Single-Electron Transistor and Its High Temperature Operation
• Si清浄表面のN_2ガスによる熱窒化
• Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• 人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス(多量量子ドットと機能性)
• Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• 人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス(多量量子ドットと機能性)
• Single-photon-induced random telegraph signal in a two-dimensional multiple-tunnel-junction array
• 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 極薄SOIを用いたシリコンナノ構造デバイス
• シリコンナノ構造の KFM による電位測定
• トンネル埋め込み酸化膜をもつ極薄SOI構造のC-V特性
• Si Pillar Formation and Height Countrol by Furnace Oxidation of the Si (111) Surface with Ultra-Small SiN Nuclei
• Si Pillar Formation and Height Control by Furnace Oxidation of the Si (111) Surface with Ultra-Small SiN Nuclei
• シリコンナノ構造からの電子の電界放出
• Siナノ構造における電界集中とトンネル電流
• Siナノ構造における電界集中とトンネル電流
• Thermal Agglomeration of Ultrathin Si Layer on Buried SiO_2
• Thermally-Induced Structural Changes of Ultrathin Silicon-on-Insulator Structure
• Simulation of Visible Light Induced Effects in a Tunnel Junction Array for Photonic Device Applications
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果
• Resonant Tunneling Effect in Si/SiO_2 Double Barrier Structure
• リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果
• Photoirradiation Effects in a Single-Electron Tunnel Junction Array (Special Issue on Technology Challenges for Single Electron Devices)
• Photo-Irradiation Effects in Single-Electron Tunnel Junction Arrays
• Simulations of Relaxation Processes for Non-Equilibrium Electron Distributions in Two-Dimensional Tunnel Junction Arrays ( Quantum Dot Structures)
• 光照射下でのSOI-FETsの間欠型電流(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 極薄ナノスケールSiトランジスタにおける二つのドナー間単電子移動(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 光照射下でのSOI-FETsの間欠型電流(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 極薄ナノスケールSiトランジスタにおける二つのドナー間単電子移動(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 2003シリコンナノエレクトロニクスワークショップ報告
• 個々のドーパント原子を利用したシリコンナノデバイス : デバイス特性とフォトンセンシング機能
• 個々のドーパント原子を利用したシリコンナノデバイス : デバイス特性とフォトンセンシング機能
• 個々のドーパントポテンシャルと電子帯電のKFM観測(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 個々のドーパントポテンシャルと電子帯電のKFM観測(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
• シリコンナノ突起からの電界電子放出
• 単一ドーパント原子トランジスタの電子トンネル輸送高温化 : 室温動作に向けて(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 単一ドーパント原子トランジスタの電子トンネル輸送高温化 : 室温動作に向けて(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 単一ドーパント原子トランジスタの電子トンネル輸送高温化 : 室温動作に向けて(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク