Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))

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概要

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• Current oscillations in the Fowler-Nordheim tunneling regime are investigated for Si/SiO_2/Si structures obtained by a wafer bonding technique. These oscillations arise from the interference in the conduction band of SiO_2 of electron waves after reflection at the SiO_2/Si collecting interface. The temperature dependence of the amplitude of these oscillations gives an insight on the behavior of scattering mechanisms in the amorphous thermally grown SiO_2. This fact has been confirmed by the results obtained for metal-oxide-semiconductor reference structures.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-05-11

著者

• 田部 道晴

  静岡大学電子工学研究所

• Ikeda Hiroya

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• MORARU Daniel

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• TABE Michiharu

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• Nuryadi Ratno

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• NAGATA Daisuki

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• HORIGUCHI Seiji

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Akita University

• Tabe Michiharu

  Research Institue Of Electronics Shizuoka University

• Nuryadi Ratno

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• Nuryadi Ratno

  Department Of Physics Faculty Of Science Shizuoka University

• Nuryadi Ratno

  Research Institue Of Electronics Shizuoka University

• Nuryadi Ratno

  Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn

• Nagata Daisuki

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• Horiguchi Seiji

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Akita University

• Moraru Daniel

  Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn

• Tabe Michiharu

  Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka University

• 田部 道晴

  静岡大学 電子工学研究所

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