シリコンナノ構造からの電子の電界放出

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 最近,カーボンナノチューブに代表されるnmオーダの構造体からの電子の電界放出(フィールドエミッション)が注目されている.これらナノ構造エミッタは,電界集中の効果と数の効果が合わさって,低い平均印加電界のもとでも比較的容易に大電流が得られるため,ディスプレイや照明などへの応用が考えられている.しかし,Siを用いたナノ構造エミッタが実現できれば,回路との融合が容易であるため応用範囲は大きく広がる.我々は,Si基板表面に高密度にSiナノ突起を自然形成し,かつ平均的な寸法や形状を系統的に変化させてエミッション実験を行った.その結果,比較的低い平均印加電界で大きなエミッション電流を得るとともに,ナノ領域といえども突起先端部の形状・寸法の制御が重要であることが明らかとなった.また,効果的に電界を集中させることができかつ作製容易なマクロ・ミクロを一体化させた複合構造についても述べる.

• 2002-09-01

著者

• 田部 道晴

  静岡大学電子工学研究所

• 澤田 和明

  豊橋科学技術大学電気工学系

• 石田 誠

  豊橋科学技術大学電気工学系

• 石川 靖彦

  静岡大学電子工学研究所

• ラトノ ヌルヤディ

  静岡大学電子工学研究所

• 石川 靖彦

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• ヌルヤデイ ラトノ

  静岡大学電子工学研究所

• 杉木 幹生

  静岡大学電子工学研究所

関連論文

• Observation of discrete dopant potential and its application to Si single-electron devices
• 単電子デバイス・回路の研究状況と今後の展望
• ULTRASONIC COURTSHIP SIGNAL IN A MOTH, OSTRINIA FURNACALIS I. FEMALE HEARING AND MATING BEHAVIOR(Behavior Biology and Ecology,Abstracts of papers presented at the 76^ Annual Meeting of the Zoological Society of Japan)
• マイクロチップ上へのSiプローブアレイ結晶成長と細胞電位測定応用(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer (シリコン材料・デバイス)
• Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer (電子デバイス)
• Single-electron transfer in phosphorous-doped Si nanowire FETs
• Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
• Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Fowler-Nordheim Current Oscillations in Si(111)/SiO_2/Twisted-Si(111) Tunneling Structures
• Formation of Nanometer-Scale Dislocation Network Sandwiched by Silicon-on-Insulator Layers
• Charge polarization effect on single-hole-characteristics in a two-dimensional Si multidot structure
• Ambipolar Coulomb Blockade Characteristics in a Two-Dimensional Si Multidot Device
• Resonant tunneling characteristics in SiO₂/Si double-barrier structures in a wide range of applied voltage
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• シリコン多重ドット構造における単電子伝導の光応答特性(半導体Si及び関連材料・評価)
• 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si単一ドーパントデバイスとその特性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• Si単一ドーパントデバイスとその特性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Quantized electron transfer through random multiple tunnel junctions in phosphorus-doped silicon nanowires
• Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
• Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
• Single-electron transfer between two donors in nanoscale thin silicon-on-insulator field-effect transistors
• Single-Electron Transfer by Inter-Dopant Coupling Tuning in Doped Nanowire Silicon-on-Insulator Field-Effect Transistors
• Single-Gated Single-Electron Transfer in Nonuniform Arrays of Quantum Dots
• Silicon nanodevice potential investigation by low temperature Kelvin Probe Force Microscope
• Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope (シリコン材料・デバイス)
• Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope (電子デバイス)
• Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• シリコン共鳴トンネル構造の作製と評価
• シリコン量子井戸構造の作製と評価
• シリコン量子井戸構造の作製と評価
• シリコン量子井戸構造の作製と評価
• Electron Tunneling from a Quantum Wire Formed at the Edge of a SIMOX-Si Layer
• Si清浄表面のN_2ガスによる熱窒化
• Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• 人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス(多量量子ドットと機能性)
• Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• 人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス(多量量子ドットと機能性)
• Single-photon-induced random telegraph signal in a two-dimensional multiple-tunnel-junction array
• 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 極薄SOIを用いたシリコンナノ構造デバイス
• シリコンナノ構造の KFM による電位測定
• トンネル埋め込み酸化膜をもつ極薄SOI構造のC-V特性
• Si Pillar Formation and Height Countrol by Furnace Oxidation of the Si (111) Surface with Ultra-Small SiN Nuclei
• Si Pillar Formation and Height Control by Furnace Oxidation of the Si (111) Surface with Ultra-Small SiN Nuclei
• シリコンナノ構造からの電子の電界放出
• Usefulness of mitochondrial COII gene sequences in examining phylogenetic relationships in the Asian corn borer, Ostrinia furnacalis, and allied species (Lepidoptera : Pyralidae)
• Creation of Highly Oriented Freestanding Carbon Nanotube Film by Sublimating Decomposition of Silicon Carbide Film
• Epitaxial Growth of 3C-SiC on Thin Silicon-on-Insulator Substrate by Chemical Vapor Deposition Using Alternating Gas Supply
• Morphometric differences between rice and water-oats population of the striped stem borer moth, Chilo suppressalis (Lepidoptera: Crambidae)
• New records of Ostrinia ovalipennis (Lepidoptera: Crambidae) from Hokkaido, and morphometric analyses for species identification and geographic variation
• Siナノ構造における電界集中とトンネル電流
• Siナノ構造における電界集中とトンネル電流
• Thermal Agglomeration of Ultrathin Si Layer on Buried SiO_2
• Thermally-Induced Structural Changes of Ultrathin Silicon-on-Insulator Structure
• Simulation of Visible Light Induced Effects in a Tunnel Junction Array for Photonic Device Applications
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果
• Resonant Tunneling Effect in Si/SiO_2 Double Barrier Structure
• リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果
• Photoirradiation Effects in a Single-Electron Tunnel Junction Array (Special Issue on Technology Challenges for Single Electron Devices)
• Photo-Irradiation Effects in Single-Electron Tunnel Junction Arrays
• Simulations of Relaxation Processes for Non-Equilibrium Electron Distributions in Two-Dimensional Tunnel Junction Arrays ( Quantum Dot Structures)
• 光照射下でのSOI-FETsの間欠型電流(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 極薄ナノスケールSiトランジスタにおける二つのドナー間単電子移動(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 光照射下でのSOI-FETsの間欠型電流(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 極薄ナノスケールSiトランジスタにおける二つのドナー間単電子移動(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 2003シリコンナノエレクトロニクスワークショップ報告
• 個々のドーパント原子を利用したシリコンナノデバイス : デバイス特性とフォトンセンシング機能
• 個々のドーパント原子を利用したシリコンナノデバイス : デバイス特性とフォトンセンシング機能
• 個々のドーパントポテンシャルと電子帯電のKFM観測(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 個々のドーパントポテンシャルと電子帯電のKFM観測(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
• シリコンナノ突起からの電界電子放出
• 単一ドーパント原子トランジスタの電子トンネル輸送高温化 : 室温動作に向けて(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 単一ドーパント原子トランジスタの電子トンネル輸送高温化 : 室温動作に向けて(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 単一ドーパント原子トランジスタの電子トンネル輸送高温化 : 室温動作に向けて(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク