多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• 二次元多重ドットトランジスタによる単電子転送動作について,クーロンブロッケード現象の原理に基づいたシミュレーションを用いて調べた.ドット構造の不均一性(ランダム性)は,等価回路におけるゲート容量に取り入れた.その結果,交流ゲート電圧1周期当たりにソースからドレインへ1個の電子が移動する『ターンスタイル動作』が,ランダム多重ドットトランジスタにより起こりうることを明らかにした。さらにゲート容量のランダム性の度合いが増加すると,ターンスタイル動作を起こす電圧条件(ゲートおよびドレイン電圧)が緩くなることが示された.従って,ランダム多重ドットトランジスタは,ターンスタイルデバイスとして期待できる.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-05-17

著者

• 池田 浩也

  静岡大学電子工学研究所

• 田部 道晴

  静岡大学電子工学研究所

• Tabe M

  Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn

• Tabe Michiharu

  Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka University

• Ikeda H

  National Laboratory For High Energy Physics

• 田部 道晴

  静岡大学 電子工学研究所

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