Surface and Interface Smoothing of Epitaxial CoSi_2 Films by Solid-Phase Epitaxy Using Adsorbed Oxygen Layers and Two-Step Growth on Si(001) Surfaces
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概要
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- Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
- 2003-11-15
著者
-
池田 浩也
静岡大学電子工学研究所
-
Yasuda Y
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Yasuda Yukio
Department Of Applied Physics Osaka City University
-
SAKAI Akira
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
ZAIMA Shigeaki
Center for Cooperative Research in Advanced Science and Technology, Nagoya University
-
IKEDA Hiroya
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
HAYASHI Yukihiro
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
Sakai A
Division Of Electrical And Computer Engineering Yokohama National University
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