Initial Oxidation Processes of H-Terminated Si(100) Surfaces Analyzed using a Random Sequential Adsorption Model
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1999-06-15
著者
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中川 恭彦
山梨大学大学院医学工学総合研究部
-
深沢 塔一
金沢工業大学機械系
-
中川 恭彦
山梨大学工学部
-
Yasuda Y
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Yasuda Yukio
Department Of Applied Physics Osaka City University
-
ZAIMA Shigeaki
Center for Cooperative Research in Advanced Science and Technology, Nagoya University
-
IKEDA Hiroya
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
Ikeda Hiroya
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
中川 恭彦
山梨大医工
-
ISHIBASHI Yoshihiro
Department of Applied Physics, School of Engineering, Nagoya University
-
中川 吉郎
大阪市立大学
-
Yasuda Yukio
Shionogi Research Laboratories Shionogi & Co. Ltd.
-
Zaima Shigeaki
Center For Cooperative Research In Advanced Science & Technology Nagoya University
-
Nakagawa Y
Yamanashi Univ. Kofu Jpn
-
深澤 塔一
金沢工大
-
中川 吉郎
大阪市立大・工
-
NAKAGAWA Yasuyuki
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
深沢 塔一
金沢工業大学 機械・物質系
-
Ishibashi Yoshihiro
Department Of Applied Physics Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Yasuda Yukio
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Nagoya University
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