圧電性Ta_2O_5単結晶薄膜の作成(一般・材料)
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概要
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単結晶基板(X-cut LiTaO_3)上にRFスパッタリング法により一軸配向性Ta_2O_5薄膜を作成し,リニア型熱処理法を用いてTa_2O_5単結晶薄膜を作成した.Ta_2O_5単結晶薄膜に対して,RHEEDのパターン,X線回折パターンの測定を行い結晶性評価を行った.mライン法とブリュースター角の測定から屈折率テンソルを求めた。また,SAWの電気機械結合係数を求め,圧電係数の大きさの確認を行なった.さらに,ラマン・ナス回折による光弾性効果の確認とSAWコンボルバデバイスヘの応用により弾性定数の非線形性の確認を行った.
- 2004-09-09
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