高周波スパッタによる高配向Ta_2O_5圧電薄膜の作製
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概要
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酸素ラジカル源を搭載した高周波スパッタ装置を用いて,溶融石英上にX軸配向Ta_2O_5薄膜を作製し,その配向性とレイリー型弾性表面波伝搬特性を評価した結果について述べている.酸素ラジカルの導入によって,(200)面のX線回折ピークが顕著に現れること,電気機械結合係数が増加すること,表面粗さが低減することを明らかにした.基板温度700℃で成膜された規格化膜厚0.135のX軸配向膜では,0.23%の電気機械結合係数が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-09-18
著者
-
中川 恭彦
山梨大学大学院医学工学総合研究部
-
垣尾 省司
山梨大学大学院医学工学総合研究部
-
垣尾 省司
山梨大学医学工学総合研究部
-
三井 剛
山梨大院・医工
-
中川 恭彦
山梨大学
-
土屋 彰教
山梨大院医工
-
土屋 彰教
山梨大学大学院医学工学総合研究部
-
三井 剛
山梨大学大学院医学工学総合研究部
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