Growth and Energy Bandgap Formation of Silicon Nitride Films in Radical Nitridation

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概要

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• Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
• 2007-01-15

著者

• 酒井 彰

  室蘭工大工

• 堀 勝

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻

• Yasuda Y

  Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University

• Yasuda Yukio

  Department Of Applied Physics Osaka City University

• SAKAI Akira

  Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University

• KONDO Hiroki

  Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University

• KAWAAI Keigo

  Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University

• HORI Masaru

  Department of Electrical Engineering and Computer Science, School of Engineering, Nagoya University

• ZAIMA Shigeaki

  Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University

• 近藤 博基

  名古屋大学大学院工学研究科

• Sakai A

  Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University

• Hori Masaru

  Department Of Quantum Engineering Nagoya University

• Hori Masaru

  Department Of Electrical Engineering And Computer Science School Of Engineering Nagoya University

• Kawaai Keigo

  Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University

• Sakai A

  Division Of Electrical And Computer Engineering Yokohama National University

• Hori Masaru

  School Of Engineering Nagoya University

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