Fabrication and Evaluation of Floating Gate Memories with Surface-Nitrided Si Nanocrystals
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概要
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- Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
- 2005-07-30
著者
-
酒井 彰
室蘭工大工
-
KONDO Hiroki
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
ZAIMA Shigeaki
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
SAKASHITA Mitsuo
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
OGAWA Masaki
EcoTopia Science Institute, Nagoya University
-
NAITO Shinya
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
近藤 博基
名古屋大学大学院工学研究科
-
Sakai A
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
UEYAMA Tomonori
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
SAKAI Akira
Ecotopia Science Institute, Nagoya University
-
Ueyama Tomonori
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Ogawa Masaki
Ecotopia Science Institute Nagoya University
-
Sakai A
Division Of Electrical And Computer Engineering Yokohama National University
-
Naito Susumu
Research Laboratories Nippondenso Co. Ltd.:department Of Information Electronics Nagoya University
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