反応性RFイオンプレーティング法によるBN皮膜の形成
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概要
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The sp2-bonded BN thin films were prepared onto the silicon substrate by RFion plating under the conditions of supplied RF power of 18-110 W, substratebias potential of -0.5kV, boron evaporation rate of 1.3 × 10-4kg/(㎡・s), vacuumchamber pressure of pN2+pAr=6.6 × 10-2Pa, and 21.7cm distance betweensubstrate and vapar source. N/B atomic ratio of thc film increased withincreases in pN2/(pN2+pAr) ratio and supplied RF power, The maximum ratio ofthe film oblained in this work was 0,95, when the film was prepared under thecondition of supplied RF power of 110 W and pN2 =6.6×10-2Pa.
- 室蘭工業大学の論文
- 2002-11-30
著者
-
酒井 彰
室蘭工大工
-
佐藤 忠夫
室蘭工業大学工学部
-
佐藤 忠夫
室蘭工業大学工学部材料物性工学科
-
酒井 彰
室蘭工業大学
-
酒井 彰
室蘭工業大学工学部電気電子工学科
-
若柳 俊一
室蘭工業大学材料物性専攻
-
渡邉 考幸
室蘭工業大学材料物性専攻
-
佐藤 忠夫
室蘭工業大学材料物性工学科
-
佐藤 忠夫
室蘭工業大学 工学部
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