Pr-Oxide-Based Dielectric Films on Ge Substrates
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2007-09-19
著者
-
酒井 彰
室蘭工大工
-
ZAIMA Shigeaki
Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
SAKAI Akira
Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
OGAWA Masaki
EcoTopia Science Institute, Nagoya University
-
SAKASHITA Mitsuo
Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
近藤 博基
名古屋大学大学院工学研究科
-
Kondo H
Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology
-
Sakai A
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
NAKATSUKA Osamu
Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
KITO Nobuyuki
Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
KONDO Hiroki
Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
Ogawa Masaki
Ecotopia Science Institute Nagoya University
-
Kito Nobuyuki
Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Sakai A
Division Of Electrical And Computer Engineering Yokohama National University
-
Okada Masahisa
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Zaima S
Nagoya Univ. Nagoya Jpn
-
Kondo Hideo
Institute Of Advanced Material Study Graduate School Of Engineering Sciences And Crest Japan Science
-
Kondo Hirotomo
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
-
Kondo H
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
-
Nakatsuka O
Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Zaima Shigeaki
Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Sakashita M
Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Zaima Shigeaki
Graduate School Of Eng. Nagoya Univ.
-
Nakatsuka Osamu
Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Sakashita Mitsuo
Graduate School of Eng., Nagoya Univ.
-
Nakatsuka Osamu
Graduate School of Eng., Nagoya Univ.
-
Sakai Akira
Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-3 Machikaneyama-cho, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan
-
Sakai Akira
Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-3 Machikane-cho, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan
関連論文
- 21pHS-7 SrBi_2Ta_2O_9薄膜のラマン散乱スペクトルII(21pHS 領域10,領域5合同 誘電体の光制御・光学応答・誘電体(光散乱),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27a-YL-2 PrRu_4P_の金属-絶縁体転移II
- 20pPSB-9 電子ラマン散乱からみたBi2212における不純物効果(20pPSB 領域8ポスターセッション(低温:Cu酸化物,Ru酸化物,Co酸化物),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aRH-2 電子ラマン散乱から見たBi2212における超伝導ギャップと擬ギャップ(26aRH 高温超伝導(擬ギャップと超伝導ギャップ),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- Growth and Energy Bandgap Formation of Silicon Nitride Films in Radical Nitridation
- Invited Strain Engineering for SiGe Buffer Layers for High-Mobility Si Channels (先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- Low-Temperature Formation of Epitaxial NiSi_2 Layers with Solid-Phase Reaction in Ni/Ti/Si(001) Systems
- Thermal Stability and Electrical Properties of (La_2O_3)_(Al_2O_3)_x Composite Films
- HfO_2 Film Formation Combined with Radical Nitridation and Its Electrical Characteristic
- Behavior of Local Current Leakage in Stressed Gate SiO_2 Films Analyzed by Conductive Atomic Force Microscopy
- Detection and Characterization of Stress-Induced Defects in Gate SiO_2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy
- Growth of Silicon Nanocrystal Dots with High Number Density by Ultra-High-Vacuum Chemical Vapor Deposition
- Influence of Structural Variation of Ni Silicide Thin Films on Electrical Property for Contact Materials
- Conductive Atomic Force Microscopy Analysis for Local Electrical Characteristics in Stressed SiO_2 Gate Films
- Pulsed Laser Deposition and Analysis for Structural and Electrical Properties of HfO_2-TiO_2 Composite Films
- Electrical Properties and Solid-Phase Reactions in Ni/Si(100) Contacts
- 磁性細菌のラマン分光観察
- 12p-PSB-65 La_Sr_xCuO_4単結晶のラマン散乱III
- 27p-PS-46 La_Sr_xCuO_4単結晶のラマン散乱II : マグノンスペクトルのposition依存性
- 30p-APS-7 La_Sr_xCuO_4単結晶のラマン散乱
- Fabrication and Evaluation of Floating Gate Memories with Surface-Nitrided Si Nanocrystals
- Dependence of Electrical Characteristics on Interfacial Structures of Epitaxial NiSi_2/Si Schottky Contacts Formed from Ni/Ti/Si System
- Pr-Oxide-Based Dielectric Films on Ge Substrates
- Behavior of Local Charge Trapping Sites in La_2O_3-Al_2O_3 Composite Films under Constant Voltage Stress
- Local Current Leakage Characterization in La_2O_3-Al_2O_3 Composite Films by Conductive Atomic Force Microscopy
- Nanoscale Observations for Degradation Phenomena in SiO_2 and High-k Gate Insulators Using Conductive-Atomic Force Microscopy
- Analysis of Local Breakdown Process in Stressed Gate SiO2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy
- Surface Treatment of Ge(001) Surface by Radical Nitridation
- Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors
- Composition Dependence of Work Function in Metal (Ni, Pt)-Germanide Gate Electrodes
- Film structures and electrical properties of Pr silicate formed by pulsed laser deposition
- Scanning Tunneling Microscopy of Initial Nitridation Processes on Oxidized Si(100) Surface with Radical Nitrogen
- 30p-N-7 顕微ラマン散乱によるYBCOとBSCCOのフォノンの温度依存性
- 28p-PSA-34 Bi-Sr-Ca-Cu-O単結晶の顕微ラマン散乱
- マイクロ波プラズマCVD法によるクロムめっき鉄鋼基板上でのダイヤモンド薄膜の合成
- マイクロ波プラズマCVD法による表面酸化処理したクロム基板上でのダイヤモンドの合成
- 18pPSB-48 CuIr_2S_4単結晶の顕微ラマン散乱
- 23pYD-15 Salmon Sperm DNAの表面増強ラマンスペクトルII(生物物理,領域12,ソフトマター物理,科学物理,生物物理)
- 21aRK-6 Salmon sperm DNAの表面増強ラマンスペクトル(生物物理,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
- 28a-M-6 強誘電性半導体Zn_Li_xOのラマン散乱
- 24pWY-1 TGS薄膜を用いた近接場ラマン散乱スペクトルII(24pWY 硫安系・TGS・水素結合系,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 26aYJ-9 SrBi_2Ta_2O_9薄膜のラマン散乱スペクトル(誘電体(酸化物),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28aRB-9 誘電体薄膜の近接場ラマン散乱(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22aVE-9 TGS薄膜を用いた近接場ラマン散乱スペクトル(22aVE 誘電体(フォノンダイナミクス),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pYK-13 Gd_2(MoO_4)_3の顕微赤外分光(24pYK 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pTD-7 STM/STSから見たLa_Sr_xCuO_4の局所電子状態(27pTD 高温超伝導(トンネル分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19pYM-12 Cu(HCOO)_2・4H_2Oのラマン散乱III(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aYR-6 Cu(CHOO)_2・4H_2Oのラマン散乱II(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 室蘭でのリフレッシュ理科教室
- 走査型近接場ラマン顕微鏡
- 12pXD-3 近接場ラマン分光法による分子内振動スペクトルの観測 II(顕微・近接場分光・低次元系, 領域 5)
- 微小開口力ンチレバープローブを用いた走査型近接場ラマン分光装置の開発 : ナノ領域におけるスペクトル観察
- 室蘭工業大学における理科教育への取り組み(北海道支部特集)
- 30aXK-7 Cu(HCOO)_2・4H_2Oのラマン散乱(誘電体)(領域10)
- 近接場光を用いたナノ領域におけるラマン分光スペクトルの観察
- 21pXC-6 走査型近接場ラマン分光法
- 20pXC-7 硝酸鉛結晶におけるラマン散乱測定
- 薄膜・微粒子の構造と磁気抵抗,磁性及び超伝導(平成9年度学内特定研究の報告)
- 23aPS-13 銅酸化物高温超伝導体Bi_2Sr_2CaCu_2O_の超伝導に対するZn添加効果(23aPS 領域8ポスターセッション(低温I(鉄系超伝導,銅酸化物など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aYA-11 LaNi_5系水素吸蔵合金の水素圧下その場顕微ラマン散乱
- クロム置換ゲーサイト人工さびの分子スペクトルおよび磁性の変化
- In-Situ Micro-Raman Scattering Investigation of LaNi_Co_Mn_Al_ Metal Hydride under Hydrogen Atmosphere
- 29p-ZA-5 水素圧下におけるLaNi_5系水素吸蔵合金の顕微ラマン散乱
- 反応性RFイオンプレーティング法によるBN皮膜の形成
- Film Structures and Electrical Properties of Pr Silicate Formed by Pulsed Laser Deposition (Special Issue: Solid State Devices & Materials)
- Invited Strain Engineering for SiGe Buffer Layers for High-Mobility Si Channels (先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- Thermal Stability and Electrical Properties of (La_2O_3)_(Al_2O_3)_x Composite Films
- 30aYR-6 ラングバイナイト型結晶K_2Mn_2(SO_4)_3の顕微ラマンマッピング II
- 25aYQ-8 ラングバイナイト型結晶K_2Mn_2(SO_4)_3の顕微ラマンマッピング
- 23PWB-2 近接場ラマン分光法による分子内振動スペクトルの観測
- 23PWB-2 近接場ラマン分光法による分子内振動スペクトルの観測
- 29pYF-15 走査型近接場ラマン分光装置によるナノ領域での単結晶スペクトル観測 II
- Tb_2(MoO_4)_3及びGd_2(MoO_4)_3の顕微ラマン散乱II
- 1p-R-4 Tb_2(MoO_4)_3及びGd_2(MoO_4)_3の顕微ラマン散乱
- 30p-YD-13 Tb_2(MoO_4)_3の顕微ラマン散乱
- 25aSG-6 STM/STSとラマン分光から見たBi2212のエネルギー・ギャップ
- 22aX-4 強誘電性半導体Zn_Li_xOセラミクスの顕微ラマン錯乱
- 24aYJ-10 ラングバイナイト型結晶(NH_4)_2Cd_2(SO_4)_3の顕微ラマン散乱
- Electrical Properties and Solid-Phase Reactions in Ni/Si(100) Contacts
- 水素吸蔵合金LaNi_5系の顕微ラマン散乱とFT-IR
- 28a-A-5 ガラス転移における低振動数緩和モード
- 27a-E-2 ガラス転移における低振動数緩和モード II
- Annealing Effects on Ge/SiO2 Interface Structure in Wafer-Bonded Germanium-on-Insulator Substrates
- 31a-X-6 水素吸蔵合金LaNi_5系の顕微ラマン散乱とFT-IR II
- 28aTM-6 強誘電体薄膜の表面増強近接場ラマン散乱(28aTM 水素結合系,硫安系・TGS系,その他,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21pGN-7 強誘電体薄膜の表面増強近接場ラマン散乱II(21pGN リラクサー・光散乱,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- Mechanical Properties and Chemical Reactions at the Directly Bonded Si–Si Interface
- 1p-YD-10 K_2Mn_2(SO_4)_3の顕微ラマン散乱II
- 7a-F-10 K_2Mn_2(SO_4)_3の顕微ラマン散乱
- Epitaxial Ag Layers on Si Substrates as a Buffer Layer for Carbon Nanotube Growth
- Thermal Stability and Scalability of Mictamict Ti–Si–N Metal–Oxide–Semiconductor Gate Electrodes
- Crystalline and Electrical Properties of Mictamict TiSiN Gate Metal–Oxcide–Semiconductor Capacitors
- Dependence of Electrical Characteristics on Interfacial Structure of Epitaxial NiSi2/Si Schottky Contacts Formed from Ni/Ti/Si System
- 25aAA-10 DNA切断片のラマン散乱(25aAA 生物物理,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- Characterization and Analyses of Interface Structures in Directly Bonded Si(011)/Si(001) Substrates
- Scanning Tunneling Microscopy of Initial Nitridation Processes on Oxidized Si(100) Surface with Radical Nitrogen
- Composition Dependence of Work Function in Metal (Ni,Pt)–Germanide Gate Electrodes
- 20aAR-3 硫酸アンモニウム薄膜の近接場ラマン散乱(20aAR 誘電体(水素結合/硫安系他,リラクサー,ペロフスカイト),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 6aSH-2 走査型近接場ラマン分光装置によるナノ領域での単結晶スペクトル観測(誘電体,領域10)
- 24pZD-1 LaNi_5系水素吸蔵合金の顕微ラマン散乱 : 水素および重水素圧下その場観察(24pZD フォノン物性,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))