外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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ナノ構造化によりゼーベック係数を増加するためには、フェルミエネルギーを不純物バンドの影響無しに制御する必要があることがわかってきた。不純物バンドの影響を除去するために、本報告では、外部電圧を印加することによる極薄SOI層のゼーベック係数の変化を調べた。その結果、正電圧を印加することによってゼーベック係数が増加することがわかった。これは、Pドープ極薄SOI層の特性と定性的に一致しており、SOI層のフェルミエネルギーを外部電圧により制御できることを示唆している。
- 2012-01-31
著者
-
池田 浩也
静岡大学電子工学研究所
-
サレ ファイズ
静岡大学電子工学研究所
-
Ikeda H
National Laboratory For High Energy Physics
-
サレ ファイズ
静岡大学電子工学研究所:日本学術振興会
-
三輪 一聡
静岡大学電子工学研究所
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