外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数 (電子デバイス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-02-07
著者
関連論文
- 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Structural and Electrical Characteristics of HfO_2 Films Fabricated by Pulsed Laser Deposition
- Growth Processes and Electrical Characteristics of Silicon Nitride Films Formed on Si(100) by Radical Nitrogen
- Electrical Properties and Solid-Phase Reactions in Ni/Si(100) Contacts
- 平成20年度第11回リフレッシュ理科教室 : 東海支部浜松会場
- シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 平成19年度第10回リフレッシュ理科教室-東海支部浜松会場-開催報告
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 平成18年度第9回リフレッシュ理科教室-東海支部浜松会場- : 開催報告
- 第12回固体薄膜・表面国際会議(ICSFS-12)
- Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- シリコン多重ドット構造における単電子伝導の光応答特性(半導体Si及び関連材料・評価)
- 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- パルスレーザー蒸着法による高誘電率薄膜の作製と電気的特性
- Growth Processes and Electrical Characteristics of Silicon Nitride Films Formed on Si(100) by Radical Nitrogen
- Electrical Properties and Solid-Phase Reactions in Ni/Si(100) Contacts
- Structural and Electrical Characteristics of HfO_2 Films Fabricated by Pulsed Laser Deposition
- シリコン多重ドット構造における単電子伝導のシミュレーション解析と光照射効果への適用
- Atomic-Scale Characterization of Nitridation Processes on Si(100)-$2\times 1$ Surfaces by Radical Nitrogen
- Application of a Two-Step Growth to the Formation of Epitaxial CoSi2 Films on Si(001) Surfaces: Comparative Study using Reactive Deposition Epitaxy
- Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数 (電子デバイス)
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数 (シリコン材料・デバイス)
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数
- 外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化(機能ナノデバイス及び関連技術)