パルスレーザー蒸着法による高誘電率薄膜の作製と電気的特性
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概要
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PLD法によりSi基根上にHfO_2膜を作製し、その結晶学的特性及び電気的特性を明らかにした。断面TEM観察の結果から、基板温度によらずSiとHfO_2膜との界面にアモルファス構造の界面層が形成された。しかしながら、堆積時の酸素分圧を下げることにより、界面層のないHfO_2/Si構造を作製できることも見出した。したがってこの界面層は、堆積時の過剰な酸素が原因で形成されるSi酸化膜を主とした低誘電率層であると考えられる。また、PLD法により作製したHfO_2/SiのC-V特性及びI-N特性は、HfO_2膜の結晶粒界構造に大きく依存しているものと考えられる。特にHfO_2結晶粒がランダム配向している膜において、ヒステリシスの無いC-V特性及び低リーク電流を実現できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-01
著者
-
酒井 朗
名古屋大学工学研究科
-
安田 幸夫
名古屋大学工学部
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
-
酒井 朗
大阪大学
-
酒井 朗
名古屋大学
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
坂下 満男
名古屋大学大学院工学研究科
-
坂下 満男
名古屋大学大学院光学研究科
-
Ikeda H
National Laboratory For High Energy Physics
-
安田 幸夫
名古屋大学
-
池田 浩也
名古屋大学
-
後藤 覚
名古屋大学
-
本多 一隆
名古屋大学
-
財満 鎮明
名古屋大学
-
財満 鎭明
名古屋大学
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