ヘテロ接合FETのアクセス領域における量子輸送

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概要

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ヘテロ接合FETの層構造とアクセス抵抗の関係をドリフトー拡張モデルと量子輸送モデルを用い解析した。アクセス抵抗はソースコンタクトからゲート下のチャネル部分へ流れ込むキャリアの振舞を直接反映する指標である。ヘテロ接合を一つのダイオードとみなした時、電流-電圧特性は非線形であり、このため、ソース側とドレイン側では異なる抵抗値を示す事になる。本報では量子輸送モデルに基づき2次元電子ガスとアクセス抵抗との関係を、電子の局在化と非局在化から論じる。又、ドリフトー拡散モデルと量子輸送モデルを比較、検討し、従来のドリフトー拡散モデル限界についても議論する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-04-22

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