土屋 敏章 | 島根大学総合理工学部
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
土屋 敏章
島根大学総合理工学部
-
土屋 敏章
島根大学 総合理工学部
-
Tsuchiya T
Department Of Electronics Doshisha University
-
Tsuchiya T
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Ibaraki Jpn
-
Tsuchiya Toshiharu
Faculty Of Engineering Shizuoka University
-
Tsuchiya Takenobu
Department Of Electrical Electronics And Information Engineering Kanagawa University
-
室田 淳一
東北大学電気通信研究所
-
室田 淳一
東北大学
-
室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
-
田部 道晴
静岡大学電子工学研究所
-
松浦 孝
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
-
佐々木 伸夫
(株)富士通研究所
-
石川 靖彦
静岡大学電子工学研究所
-
石川 靖彦
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
佐々木 伸夫
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
-
櫻庭 政夫
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
-
佐々木 伸夫
富士通ic事業部
-
櫻庭 政夫
東北大学
-
岩崎 正憲
静岡大学電子工学研究所
-
佐々木 伸夫
富士通研究所
-
石原 大阿
静岡大学電子工学研究所
-
土屋 敏章
島根大学総合理工学部電子制御システム工学科
-
Matsuura T
Hokkaido Univ. Education Hakodate Jpn
-
小泉 弘
Ntt通信エネルギー研究所
-
竹廣 忍
東北大学電気通信研究所
-
小泉 弘
Ntt 通信エネルギー研
-
嶋屋 正一
NTT 通信エネルギー研究所
著作論文
- SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるヘテロ界面のホットキャリア局所劣化
- SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生
- BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET
- Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/Siヘテロ構造品質との対応
- Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/ヘテロ構造品質との対応
- Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/ヘテロ構造品質との対応
- シリコン量子井戸構造の作製と評価
- シリコン量子井戸構造の作製と評価
- シリコン量子井戸構造の作製と評価
- 低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響(有機EL, TFT,及び一般)
- 低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響(有機EL, TFT,及び一般)
- 低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響(有機EL, TFT,及び一般)
- SOI CMOSデバイス
- SOI CMOSの現状と展望
- SOI CMOSの現状と展望
- バイアス・温度(BT)処理を用いたnMOSFET/SIMOXの特性改善
- 低消費電カ・高速CMOS/SOIテバイス技術