低消費電カ・高速CMOS/SOIテバイス技術

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 島根大学の論文
• 1998-12-24

著者

• 土屋 敏章

  島根大学総合理工学部

• 土屋 敏章

  島根大学総合理工学部電子制御システム工学科

関連論文

• SOI基板材料の品質評価と技術課題
• SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるヘテロ界面のホットキャリア局所劣化
• SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生
• BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET
• Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/Siヘテロ構造品質との対応
• Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/ヘテロ構造品質との対応
• Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/ヘテロ構造品質との対応
• シリコン量子井戸構造の作製と評価
• シリコン量子井戸構造の作製と評価
• シリコン量子井戸構造の作製と評価
• 低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響(有機EL, TFT,及び一般)
• 低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響(有機EL, TFT,及び一般)
• 低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響(有機EL, TFT,及び一般)
• SOI CMOSデバイス
• SOI CMOSの現状と展望
• SOI CMOSの現状と展望
• バイアス・温度(BT)処理を用いたnMOSFET/SIMOXの特性改善
• Si-NMOSFETのキャリア熱速度の計算 : チャネル不純物濃度, backscattering係数,並びにチャネルSi膜厚依存性(半導体Si及び関連材料・評価)
• 部分空乏型SOI MOSFETにおけるダイオード電流の計算方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 部分空乏型SOI MOSFETにおけるダイオード電流の計算方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 低消費電カ・高速CMOS/SOIテバイス技術

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク