SOI基板材料の品質評価と技術課題
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概要
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市販されている6種類のSOI基板について品質を評価した。GOIの評価では、SIMOX基板、貼り合わせ基板共に, バルクシリコン基板と同等の真性破壊からなるTDDB特性が得られるが、ウェーハ間にばらつきが見られた。GOI劣化の要因として、プロセス中のプラズマダメージによる BOX 破壊が大きな要因になっている事が判った。SOI・MOSFETの基本特性 (Vth、S 係数ほか) のばらつきは、バルクシリコンMOSFETと遜色無く、10K個のTrで調べる限り、異常なリーク電流は見られなかった。GOI歩留まりから計算すると、少なくともチップサイズ50mm~2程度のLSIには対応可能なことが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-13
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
前川 繁登
三菱電機株式会社LSI研究所
-
前川 繁登
ルネサス
-
土屋 敏章
島根大学 総合理工学部
-
森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
-
森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
-
吉見 信
UCS SOI・エピ技術委員会
-
前川 繁登
UCS SOI・エピ技術委員会
-
土屋 敏章
UCS SOI・エピ技術委員会
-
森田 瑞穂
UCS SOI・エピ技術委員会
-
出水 清史
UCS SOI・エピ技術委員会
-
大見 忠弘
UCS SOI・エピ技術委員会
-
吉見 信
SOITEC Asia
-
土屋 敏章
島根大学総合理工学部電子制御システム工学科
-
出水 清史
Ucs Soi・エピ技術委員会:(株) 信越半導体半導体磯部研究所
-
吉見 信
東芝 Soc研開セ
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