吉見 信 | SOITEC Asia

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概要

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関連著者

• 吉見 信

  SOITEC Asia

• 吉見 信

  東芝 Soc研開セ

• 吉見 信

  (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 渡辺 重佳

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 山田 敬

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 川中 繁

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 寺内 衛

  東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 川中 繁

  東芝 システムLSI開発センター

• 篠 智彰

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• 篠 智彰

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 布施 常明

  (株)東芝 ULSI研究所

• 渡辺 重佳

  (株)東芝技術企画室

• 川中 繁

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 寺内 衛

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 布施 常明

  東芝セミコンダクター社

• 渡辺 重佳

  (株)東芝 Ulsi研究所

• 篠 智彰

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 篠 智彰

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 山田 敬

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 大脇 幸人

  (株)東芝 ULSI研究所

• 大脇 幸人

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 大内 和則

  (株)東芝 研究開発センター ULSI研究所

• 勝又 康弘

  東芝セミコンダクター社

• 大脇 幸人

  (株)東芝soc研究開発センター

• 大脇 幸人

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 大内 和則

  (株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 石内 秀美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石内 秀美

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 鴨志田 昌弘

  (株)東芝SoC研究開発センター

• 鴨志田 昌弘

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 太田 雅子

  東芝セミコンダクター社

• 井納 和美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 太田 雅子

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 鴨志田 昌弘

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 勝又 康弘

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 真鍋 宗平

  (株)東芝 ULSI研究所

• 吉田 尊

  (株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所

• 新居 英明

  (株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部

• 吉田 晋一

  (株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所

• 松原 玄宗

  (株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所

• 真鍋 宗平

  (株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 松原 玄宗

  (株)東芝システムlsi技術研究所

• 吉見 信

  Soitec Asia(株)

• 松永 準一

  (株)東芝 研究開発センター ULSI研究所

• 石内 秀美

  (株)東芝

• 吉見 信

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 吉見 信

  東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 西山 彰

  東芝 研究開発センター

• 松澤 一也

  東芝 研究開発センター

• 松永 準一

  (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 吉見 信

  株式会社東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター 高性能cmosデバイス技術開発部

• 榎本 忠儀

  中央大学 大学院 理工学研究科 情報工学専攻

• 吉田 晋一

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 親松 尚人

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 道関 隆国

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 佐藤 力

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 有本 和民

  ルネサステクノロジ

• 吉田 毅

  九州大学医学部附属病院放射線科

• 榎本 忠儀

  中央大学理工学部

• 灘原 壮一

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部

• 松澤 昭

  松下電器産業(株)

• 斉藤 芳彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 一法師 隆志

  ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部

• 一法師 隆志

  ルネサステクノロジ

• 南 良博

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 勝又 康弘

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 石内 秀美

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 佐藤 力

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 山田 誠司

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 永野 元

  プロセス技術推進センター

• 山田 誠司

  株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部

• 宮崎 祐行

  日立製作所中央研究所

• 綱島 祥隆

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 山田 敬

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 高橋 一美

  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

• 親松 尚人

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 永野 元

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 佐藤 力

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 新田 伸一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 北城 岳彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 国分 弘一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 安本 佳緒里

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 松原 義徳

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 吉田 毅

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 灘原 壮一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 道関 隆国

  Ntt マイクロシステムインテグレーション研

• 阪田 健

  日立製作所中央研究所

• 吉田 毅

  広島大学先端物質科学研究科

• 吉見 信

  東芝ULSI研究所

• 宮崎 祐行

  日立

• 高田 英裕

  三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センタ

• 綱島 祥隆

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 松澤 昭

  松下電器産業

• 阪田 健

  日立

• 榎本 忠儀

  中央大学 理工学部

• 西山 彰

  (株)東芝研究開発センター

• 吉田 毅

  (株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部

• 有隅 修

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 榎本 忠儀

  中央大学理工学研究所

• 榎本 忠儀

  中央大学理工学部 情報工学科

• 北城 岳彦

  (株)東芝セミコンダクター社

• 松原 義徳

  (株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 井田 次郎

  沖電気工業株式会社

• 吉田 毅

  産業医科大学泌尿器科学教室

• 道関 隆国

  Ntt

• 三木 和彦

  東芝

• 高田 英裕

  三菱電機

• 山岡 雅直

  日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所中央研究所

• 松澤 一也

  (株)東芝 ULSI研究所

• 執行 直之

  (株)東芝 ULSI研究所

• 井田 次郎

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 有隅 修

  (株)東芝 Ulsi研究所

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ

• 井田 次郎

  沖電気

• 南 良博

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 吉田 毅

  株式会社東芝

• 山岡 雅直

  日立製作所 中央研究所

• 西山 彰

  (株)東芝 研究開発センター

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 榎本 忠儀

  中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻

• 渡辺 重佳

  株式会社東芝研究開発センター

• 前川 繁登

  三菱電機株式会社LSI研究所

• 渡辺 重佳

  株式会社東芝研究開発センターulsi研究所

• 前川 繁登

  ルネサス

• 土屋 敏章

  島根大学 総合理工学部

• 森田 瑞穂

  大阪大学大学院工学研究科

• 森田 瑞穂

  大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻

• 渡辺 重佳

  東芝研究開発センター

• 山田 敬

  東芝研究開発センター

• 川中 繁

  東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 恩賀 伸二

  東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 岡田 多佳子

  東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 篠 智彰

  東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 吉岡 晋一

  (株)東芝

• 寺内 衛

  株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所

• 西山 彰

  株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所

• 水野 智久

  株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所

• 竹野 史郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 吉見 信

  UCS SOI・エピ技術委員会

• 前川 繁登

  UCS SOI・エピ技術委員会

• 土屋 敏章

  UCS SOI・エピ技術委員会

• 森田 瑞穂

  UCS SOI・エピ技術委員会

• 出水 清史

  UCS SOI・エピ技術委員会

• 大見 忠弘

  UCS SOI・エピ技術委員会

• 井納 和美

  東芝 システムLSI開発センター

• 勝又 康弘

  東芝 システムLSI開発センター

• 吉見 信

  東芝 システムLSI開発センター

• 石内 秀美

  東芝 システムLSI開発センター

• 鈴木 健

  (株)東芝 ソフトウェアプロダクト部

• 土屋 敏章

  島根大学総合理工学部電子制御システム工学科

• 竹野 史郎

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 出水 清史

  Ucs Soi・エピ技術委員会:(株) 信越半導体半導体磯部研究所

• 竹野 史郎

  (株)東芝研究開発センター環境技術研究所

• 渡辺 重佳

  株式会社東芝 先端半導体デバイス研究所

• マズレ カルロス

  Soitec

• 鈴木 健

  (株)東芝研究開発センター環境技術研究所

• 川中 繁

  東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター高性能cmosデバイス技術開発部

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著作論文

• SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
• ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
• 自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子
• 薄膜SOI素子におけるソース/ドレイン間リーク電流の解析
• 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V、200MHz動作32ビットALUの設計
• 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
• 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALU
• SOI集積回路に対する基板浮遊効果の影響
• SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
• 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
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• SOI基板材料の品質評価と技術課題
• サブ100nm時代の低リーク・低電力技術(パネルディスカッション)
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• SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
• SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
• サブ50nm時代の切り札SOI : SOIがBulkに勝てる技術はこれだ!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• サブ50nm時代の切り札SOI : SOIがBulkに勝てる技術はこれだ!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• アルゴンイオン注入のSOI-NMOSFET特性に対する影響
• チャネル長0.1μmSOI MOSFETにおけるself-heatingの影響考察
• 通信用LSIへのSOI技術の応用 : fmax 67GHz SOI 横型バイポーラトランジスタ技術
• ソースにSiGe領域を形成したSOI・MOSFETにおけるドレイン破壊電圧改善のシミュレーション解析
• SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性
• CT-1-1 ウェーハ貼り合わせ法によるSOI技術とその応用可能性(CT-1.ヘテロジニアス・インテグレーション技術の現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
• サブ45nm時代に向けて、SOI基板技術の現状と展望(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• サブ45nm時代に向けて、SOI基板技術の現状と展望(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 22nm以降のノードに向けた完全空乏化CMOS用超薄膜SOI基板技術

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