西山 彰 | (株)東芝研究開発センター

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概要

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関連著者

• 西山 彰

  (株)東芝研究開発センター

• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 西山 彰

  東芝 研究開発センター

• 西山 彰

  (株)東芝 研究開発センター

• 小山 正人

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 小山 正人

  (株)東芝研究開発センター

• 小山 正人

  東芝 研究開発センター

• 小山 正人

  (株)東芝

• 上牟田 雄一

  半導体MIRAI-ASET

• 上牟田 雄一

  (株)東芝研究開発センター

• 鈴木 正道

  (株)東芝 研究開発センター

• 小池 正浩

  (株)東芝研究開発センター

• 井野 恒洋

  (株)東芝研究開発センター

• 井野 恒洋

  東芝

• 飯島 良介

  (株)東芝研究開発センター

• 飯島 良介

  東芝

• 渡辺 健

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 高柳 万里子

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 山口 豪

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 吉木 昌彦

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 吉見 信

  (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 寺内 衛

  東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 寺内 衛

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 江口 和弘

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 関根 克行

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 小野 瑞城

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 関根 克行

  東芝 セミコンダクター社

• 有隅 修

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 江口 和弘

  半導体理工学センター(STARC)

• 吉見 信

  SOITEC Asia

• 松澤 一也

  東芝 研究開発センター

• 松澤 一也

  (株)東芝 ULSI研究所

• 執行 直之

  (株)東芝 ULSI研究所

• 吉木 昌彦

  (株)東芝 研究開発センター

• 有隅 修

  (株)東芝 Ulsi研究所

• 山口 豪

  (株)東芝 研究開発センター

• 江口 和弘

  (株)東芝

• 吉見 信

  東芝 Soc研開セ

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 福井 大伸

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 須黒 恭一

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社

• 福井 大伸

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 古賀 淳二

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 村岡 浩一

  (株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 綱島 祥隆

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 金子 明生

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 犬宮 誠治

  (株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター

• 土屋 義規

  (株)東芝 研究開発センター

• 竹野 史郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 古賀 淳二

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 綱島 祥隆

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 佐藤 基之

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部

• 須黒 恭一

  (株)東芝

• 佐藤 基之

  東芝 セミコンダクター社

• 丹羽 祥子

  (株)東芝

• 鎌田 善己

  (株)東芝

• 鎌田 善己

  東芝

• 犬宮 誠治

  東芝

• 木下 敦寛

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 小池 三夫

  (株)東芝

• 合瀬 路博

  (株)東芝

• 本郷 智恵

  (株)東芝

• 鈴木 健

  (株)東芝 ソフトウェアプロダクト部

• 金子 明生

  東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ

• 木下 敦寛

  (株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー

• 小池 三夫

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 竹野 史郎

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 竹野 史郎

  (株)東芝研究開発センター環境技術研究所

• 綱島 祥隆

  (株)東芝

• 鈴木 健

  (株)東芝研究開発センター環境技術研究所

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著作論文

• 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 反射電子エネルギー分光法(REELS)によるHfSiO_x膜の評価(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
• ジルコニウム窒化膜低温酸化による耐熱性窒素添加ZrO_2ゲート絶縁膜
• Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ソースにSiGe領域を形成したSOI・MOSFETにおけるドレイン破壊電圧改善のシミュレーション解析
• SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性
• Flashメモリ : その動作原理と最新開発動向(記録媒体、一般)

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