ジルコニウム窒化膜低温酸化による耐熱性窒素添加ZrO_2ゲート絶縁膜
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概要
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- 2002-06-06
著者
-
鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
-
須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
-
吉木 昌彦
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センター
-
須黒 恭一
(株)東芝
-
上牟田 雄一
(株)東芝研究開発センター
-
西山 彰
(株)東芝研究開発センター
-
西山 彰
東芝 研究開発センター
-
小山 正人
東芝 研究開発センター
-
小池 三夫
(株)東芝
-
合瀬 路博
(株)東芝
-
本郷 智恵
(株)東芝
-
小池 三夫
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
吉木 昌彦
(株)東芝 研究開発センター
-
小山 正人
(株)東芝
-
西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
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