コンタクト同時埋め込みCu配線プロセス
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高速ULSIに用いるためのCu多層配線プロセスを検討した. 本研究では, Cu/Swineスパッタ, XeClエキシマレーザーアニールおよび, Cu/WSiNのCMPを用いたデュアルダマシン法を用いて, コンタクトプラグと溝を同時に埋めた2層Cu配線を形成した. 配線の電気的性質および, Cu配線間のViaコンタクト特性は良好であり, また, バリアメタルのWSi_<0.6>Nは10nm以下でも, Cuに対する拡散バリア膜として優れていることが確認された. 従って, 本プロセスはCu多層配線を形成する上で有望な方法であるといえる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-26
著者
-
須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
下岡 義明
(株)東芝
-
平林 英明
(株)東芝生産技術研究所
-
南幅 学
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
川ノ上 孝
(株)東芝セミコンダクター社
-
川ノ上 孝
(株)東芝ulsi研究所
-
大川 秀樹
(株)東芝生産技術センタｰ
-
須黒 恭一
(株)東芝ulsi研究所
-
須黒 恭一
(株)東芝
-
大川 秀樹
(株)東芝生産技術研究所
-
小原 隆
(株)東芝情報・通信システム技術研究所
-
南幅 学
(株)東芝ULSI研究所
-
飯島 匡
(株)東芝ULSI研究所
-
田村 仁
(株)東芝ULSI研究所
-
桜井 直明
(株)東芝生産技術研究所
-
久保田 剛
(株)東芝生産技術推進センター
-
古山 充利
(株)東芝生産技術推進センター
-
伊高 利明
(株)東芝生産技術推進センター
-
桜井 直明
(株)東芝 生産技術センター プロセス研究センター
-
桜井 直明
(株)東芝
-
平林 英明
(株)東芝 生産技術センター プロセス研究センター
-
久保田 剛
(株)東芝 半導体事業本部
-
下岡 義明
(株)東芝ulsi研究所
-
小原 隆
(株)東芝 生産技術研究所
関連論文
- 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
- Tiバリア表面窒化プロセスによる低抵抗・高信頼性Cu配線の開発(配線・実装技術と関連材料技術)
- MSQ膜を用いたCuダマシン配線プロセスにおける積層剥がれ現象
- ポリシリコンCMPプロセスにおけるディッシングレススラリーの開発
- Cu CMP 後洗浄技術
- CuCMP研磨剤の微視的研磨表面における影響
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD-2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ポリメタルゲート電極技術
- hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- H_2O添加スパッタリングで異なる基板上に作製した錫ドｰプ酸化インジウム(ITO)薄膜の構造と電気特性
- 0.15μm世代以降のサリサイドプロセス
- テトラクロロシラン-シリコン窒化膜によるボロン突き抜けの抑制および高性能デュアルゲートDRAMの実現
- テトラクロロシラン-シリコン窒化膜によるボロン突き抜けの抑制および高性能デュアルゲートDRAMの実現
- IIRフィルタを用いたノイズキャンセラのひずみ改善
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- 極微細低抵抗ゲート電極配線技術
- コンタクト同時埋め込みCu配線プロセス
- Dual Damascene によるCu配線形成
- Cu拡散防止用アモルファスTi-Si-N薄膜の検討
- 金属シリサイド技術の現状と課題
- 機械的プラナリゼーション加工技術の現状と今後の課題(機械的プラナリゼーション技術)
- アルミナ砥粒を用いたCU-CMP用研磨液の研磨速度の高速化と安定化
- Cu-CMP 用研磨液の開発 -pH調整による研磨速度の高速化
- 液体マスフローコントローラの開発
- 基板スピン洗浄における飛散ミストの可視化
- 多孔質低誘電率膜CMP時の誘電率評価(配線・実装技術と関連材料技術)
- ジルコニウム窒化膜低温酸化による耐熱性窒素添加ZrO_2ゲート絶縁膜
- 音声コーディクの情報を用いたエコーキャンセラの改善の検討
- 高性能トランジスタ技術 (特集 半導体プロセス技術)
- ULSI用単結晶微細配線技術 (薄膜機能材料)
- 音響ノイズキヤンセラにおけるひずみ低減の一手法
- A-126 音響ノイズキャンセラにおけるひずみ低減の一手法(A-4. ディジタル信号処理,一般講演)
- ダブルパルスエキシマレーザ照射による微細ホールへのCu埋込み技術
- A-124 音声コーデックの情報を用いたエコーキャンセラの改善の検討(A-4. ディジタル信号処理,一般講演)
- CMOS混載RF-MEMS可変容量(招待講演,異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
- CMOS混載RF-MEMS可変容量(招待講演,異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
- LSIの銅配線技術
- CMOS混載RF-MEMS可変容量
- CMOS混載RF-MEMS可変容量