多孔質低誘電率膜CMP時の誘電率評価(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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近年の高速LSIデバイスでは多孔質低誘電率膜が絶縁膜として使用されるが,加工中に誘電率が変化することが問題である.本研究では3種類のナノサイズ多孔質低誘電率膜にCMP,ドライ処理,スパッタリング処理を施した.その結果,多孔質低誘電率膜のCMP中の誘電率上昇はスラリー中の界面活性剤の膜中拡散によって引き起こされ,界面活性剤や多孔質膜の特性に影響されることが明らかになった.界面活性剤は多孔質膜の連続孔の側壁に吸着するが,熱処理によって容易に脱離し誘電率が回復される.一方ドライ処理後にCMPを行った場合には,誘電率上昇の主原因は界面活性剤吸着ではなく,吸湿であることが判明した.メカニズム詳細を本文中で議論する.(306字)
- 2010-01-29
著者
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小寺 雅子
(株)東芝セミコンダクター社
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小寺 雅子
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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小寺 雅子
(株)東芝
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南幅 学
(株)東芝ULSI研究所
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南幅 学
(株)東芝研究開発センター
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高橋 琢視
(株)東芝セミコンダクター社
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