炭素電極を使用した電解水によるトレンチポリシリコン洗浄プロセスの検討(半導体材料・デバイス)
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概要
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トレンチアイソレーションプロセスにおいては酸化工程前にウェーハ上に残った金属汚染が,酸化時に発生する結晶欠陥の原因となる.これまでは無機アルカリ,酸と希フッ酸を組み合わせたウェーハ洗浄が行われてきたが,金属汚染除去能力が低いという点で問題があった.このために金属汚染除去性能が高い洗浄技術が必要不可欠である.本論文では,トレンチに充てんしたポリシリコンを化学的機械研磨CMP(Chemical Mechanical Polishing)法で平たん化する場合のCMP後の洗浄に,炭素電極を用いた電気分解法で生成したアノード水とカソード水を用いた洗浄技術を検討したので報告する.この技術により,従来の洗浄方法に比べてFe,Mg,Znといったウェーハ上の残留金属汚染量が1/2〜1/3以下に減少し,酸化時に結晶欠陥が発生しないCMP後洗浄技術を確立できた.本技術は1000℃以上の高温酸化の前処理として有用である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-01
著者
-
小寺 雅子
(株)東芝セミコンダクター社
-
植草 新一郎
明治大学理工学部
-
小寺 雅子
(株)東芝
-
宮下 直人
明治大学理工学部電気電子工学科
-
勝俣 裕
(株)東芝生産技術センター
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松井 嘉孝
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
植草 新一郎
明治大学理工学部電気電子工学科
-
植草 新一郎
明治大学
-
宮下 直人
明治大学理工学部電気電子工学科:(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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