CuCMP研磨剤の微視的研磨表面における影響

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概要

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• 1999-03-05

著者

• 小寺 雅子

  (株)東芝セミコンダクター社

• 松井 嘉孝

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 平林 英明

  (株)東芝生産技術研究所

• 間瀬 康一

  東芝半導体生産技術推進センター

• 松井 嘉孝

  東芝 半導体生産技術推進センター

• 小寺 雅子

  東芝 半導体生産技術推進センター

• 岩出 健次

  東芝 生産技術推進センター

• 間瀬 康一

  東芝 生産技術推進センター

• 宮下 直人

  東芝 半導体生産技術推進センター

• 平林 英明

  東芝 半導体生産技術研究所

• 桜井 直明

  東芝 半導体生産技術研究所

• 桜井 直明

  (株)東芝 生産技術センター プロセス研究センター

• 平林 英明

  (株)東芝 生産技術センター プロセス研究センター

• 宮下 直人

  明治大学理工学部電気電子工学科:(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

関連論文

• 20101 機械工学が支援できる最先端デバイス(1) : Cu/low-k配線構造のCMPプロセスにおける有限要素法応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
• 20703 Cu/porous low-k構造におけるCMP中の応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
• Cu/low-k構造デバイスのCMP後洗浄プロセスの開発(機構デバイス)
• Cu/Low-k構造デバイスのCMP後洗浄プロセス開発 (半導体製造装置関連製品小特集(2))
• Cu CMP後のCu表面解析
• 炭素電極を使用した電解水によるトレンチポリシリコン洗浄プロセスの検討(半導体材料・デバイス)
• ポリシリコンCMPプロセスにおけるディッシングレススラリーの開発
• Cu CMP 後洗浄技術
• CuCMP研磨剤の微視的研磨表面における影響
• 酸化膜CMPの研磨特性に関する検討および考察
• コンタクト同時埋め込みCu配線プロセス
• Dual Damascene によるCu配線形成
• アルミナ砥粒を用いたCU-CMP用研磨液の研磨速度の高速化と安定化
• Cu-CMP 用研磨液の開発 -pH調整による研磨速度の高速化
• 液体マスフローコントローラの開発
• 基板スピン洗浄における飛散ミストの可視化
• 多孔質低誘電率膜CMP時の誘電率評価(配線・実装技術と関連材料技術)
• Cu配線構造における応力解析(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)

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