Cu/low-k構造デバイスのCMP後洗浄プロセスの開発(機構デバイス)
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概要
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近年の超LSIデバイスにおける高集積化, 高速化要求に伴い, Cu配線とLow-k膜(低誘電率膜)を用いるCu/low-kダマシン(埋込配線)プロセスが登場している.新材料であるCu, Low-k膜の適用により, CMP後洗浄プロセス開発も困難に直面している.課題の一つは疎水性のLow-k膜上の残さであり, 多くのスラリー(研磨剤)や洗浄液がLow-k膜用に開発されている.我々はこれらのスラリーと洗浄液の組合せでLow-k膜上での洗浄性能を評価し, 最適なプロセスの開発を行った.Low-k膜2種類, TEOS膜, Cu膜でのDefect測定のほか, Low-k膜上へのメタル不純物汚染の測定を実施し, 性能が優れた洗浄液を見出した.また洗浄液の性能はスラリーによって異なることが判明した.更に我々は最適プロセスをCu/low-k構造のデバイス製造に適用して, 電気特性評価を実施した.得られた配線間リーク電流は10^<-9>∿10^<-10>A/m以下と十分に低く, 本プロセスが実際の超LSIデバイス製造に適用可能であることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-03-01
著者
-
辻村 学
(株)荏原製作所
-
辻村 学
株式会社荏原製作所精密・電子事業本部
-
小寺 雅子
(株)東芝セミコンダクター社
-
小寺 雅子
(株)荏原製作所
-
植草 新一郎
明治大学理工学部
-
徳重 克彦
(株)荏原製作所
-
福永 明
(株)荏原製作所
-
福永 明
荏原
-
田中 義嗣
東京エレクトロン株式会社
-
福永 明
荏原製作所
-
前川 薫
東京エレクトロン(株)
-
西岡 由紀子
(株)荏原製作所開発センター
-
永野 秀和
(株)荏原製作所開発センター
-
井上 辰雄
(株)荏原製作所開発センター
-
永井 洋之
東京エレクトロンAT株式会社プロセスインテグレーションセンター
-
植草 新一郎
明治大学理工学部電気電子工学科
-
田中 義嗣
東京エレクトロンat株式会社プロセスインテグレーションセンター
-
徳重 克彦
荏原製作所
-
西岡 由紀子
(株)荏原製作所精密・電子事業本部
-
前川 薫
東京エレクトロンat株式会社プロセスインテグレーションセンター
-
井上 辰雄
(株)荏原製作所 精密・電子事業本部第一開発センター
-
辻村 学
荏原
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